Vishay IRF9540S Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 19 A 150 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 650-4205
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9540SPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.12.425
Vorübergehend ausverkauft
- 825 Einheit(en) mit Versand ab 24. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.2.485 | CHF.12.43 |
| 25 - 45 | CHF.2.242 | CHF.11.20 |
| 50 - 120 | CHF.2.141 | CHF.10.70 |
| 125 - 245 | CHF.1.99 | CHF.9.95 |
| 250 + | CHF.1.869 | CHF.9.32 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 650-4205
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9540SPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IRF9540S | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 200mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 61nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | -100V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IRF9540S | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 200mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf -100V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.83mm | ||
Breite 9.65 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay IRF9540S Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 19 A 150 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 19 A, 3-Pin TO-263
- Infineon AUIRF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-263
- Vishay SiHF9540S Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 13 A 150 W, 3-Pin TO-263
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 150 A 375 W, 3-Pin TO-263
- Vishay IRF9540 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 19 A 150 W, 3-Pin TO-220
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 180 A TO-263