Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-4898
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLZ34NPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (50 Stück, in einer Stange mit 50)*
CHF 37.35
Wird eingestellt
- 250 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Die letzten 500 Einheit(en) mit Versand ab 12. Oktober 2026
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 0.747 | CHF 37.27 |
| 100 - 200 | CHF 0.586 | CHF 29.09 |
| 250 - 450 | CHF 0.545 | CHF 27.22 |
| 500 - 1200 | CHF 0.505 | CHF 25.35 |
| 1250 + | CHF 0.465 | CHF 23.48 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4898
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLZ34NPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 35mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -16V, +16V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.69mm | |
| Länge | 10.54mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 35mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -16V, +16V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 8.77mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.69mm | ||
Länge 10.54mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 30A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 68W maximale Verlustleistung - IRLZ34NPBF
Dieser leistungsstarke n-Kanal-MOSFET ist für die Effizienz verschiedener elektronischer Anwendungen ausgelegt. Er hat einen maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 30 A und kann Drain-Source-Spannungen von bis zu 55 V verarbeiten. Die Fähigkeit zum erweiterten Modus gewährleistet den Betrieb unter verschiedenen Bedingungen und macht ihn zu einer wertvollen Komponente für das Energiemanagement in verschiedenen Bereichen.
Eigenschaften und Vorteile
• Niedriger Einschaltwiderstand von 35mΩ reduziert den Leistungsverlust
• Hohe Verlustleistung von 68 W verbessert die Leistung
• Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C gewährleistet Vielseitigkeit
• Typische Gate-Ladung von 25nC bei 5 V ermöglicht schnelleres Schalten
• Kompaktes TO-220AB-Gehäuse ermöglicht effizientes PCB-Layout
Anwendungsbereich
• Einsatz in DC-DC-Wandlern zur effizienten Energieumwandlung
• Geeignet für Motortreiberschaltungen in der industriellen Automatisierung
• Effektiv in Energiemanagementsystemen für erneuerbare Energie
• Einsatz bei Hochgeschwindigkeitsschaltungen für Telekommunikation
Wie hoch ist die maximale Gate-Source-Spannung?
Der Baustein verträgt eine maximale Gate-Source-Spannung von ±16 V und gewährleistet so einen sicheren Betrieb in verschiedenen Schaltungen.
Wie wirkt sich die Temperatur auf seine Leistung aus?
Der MOSFET arbeitet effizient über einen Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und bleibt auch unter extremen Bedingungen stabil.
Kann es in Hochfrequenzanwendungen eingesetzt werden?
Ja, er ist mit einer typischen Gate-Ladung von 25nC bei 5V ausgelegt und eignet sich daher für Hochfrequenzanwendungen wie HF-Verstärker.
Was sind die Auswirkungen eines niedrigen Rds(on)?
Ein niedrigerer Rds(on)-Wert verringert die Wärmeentwicklung und die Leistungsverluste erheblich und verbessert die Gesamteffizienz von Stromversorgungsdesigns.
Ist sie mit verschiedenen elektronischen Schaltungen kompatibel?
Das Gerät ist vielseitig einsetzbar und kann in verschiedene Schaltungskonfigurationen integriert werden, unter anderem in der Automobil- und Industrieelektronik.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 29 A 68 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 19 A 68 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 64 A, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 28 A 68 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 64 A 130 W, 3-Pin TO-220