Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 19 A 68 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-4867
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9Z34NPBF
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 1.04 | CHF 51.86 |
| 100 - 200 | CHF 0.768 | CHF 38.38 |
| 250 - 450 | CHF 0.717 | CHF 35.81 |
| 500 - 1200 | CHF 0.667 | CHF 33.18 |
| 1250 + | CHF 0.626 | CHF 31.11 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4867
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9Z34NPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 100mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.54mm | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Breite | 4.69mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.54mm | ||
Höhe 8.77mm | ||
Breite 4.69mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 19A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 68W maximale Verlustleistung - IRF9Z34NPBF
Dieser P-Kanal-MOSFET ist für eine gleichbleibende Leistung bei verschiedenen elektronischen Anwendungen ausgelegt. Mit einem Dauer-Drain-Strom von 19 A und einer Drain-Source-Spannung von 55 V eignet er sich für die Automatisierung und das Power-Management in modernen elektronischen Systemen. Seine robusten thermischen Eigenschaften ermöglichen den Betrieb in schwierigen Umgebungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Hohe Stromkapazität für hohe Lastanforderungen
• Maximale Verlustleistung von 68 W verbessert die Haltbarkeit
• Enhancement-Mode-Design unterstützt effiziente Schaltleistung
• Niedrige Gate-Ladung ermöglicht schnelleren Betrieb
• Effektive thermische Eigenschaften gewährleisten stabile Leistung bei hohen Temperaturen
• TO-220AB-Gehäuse bietet praktische Integration in Schaltungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Stromversorgungsschaltungen, bei denen die Effizienz im Vordergrund steht
• Perfekt für die Motorsteuerung in Automatisierungssystemen
• Geeignet für hochfrequente Schaltszenarien
• Einsatz in Energiemanagementsystemen zur Leistungssteigerung
Was ist die maximale Temperatur für diesen MOSFET?
Er kann bei einer Höchsttemperatur von +175 °C betrieben werden und ist dabei effizient und zuverlässig.
Wie geht er mit Schwankungen der Gate-Source-Spannung um?
Er ist für eine maximale Gate-Source-Spannung von ±20 V ausgelegt und bietet somit Flexibilität beim Schaltungsdesign.
Welche Bedeutung hat der niedrige Drain-Source-Widerstand?
Ein maximaler Drain-Source-Widerstand von 100 mΩ erhöht den Wirkungsgrad und verringert die Wärmeentwicklung.
Kann es in Hochfrequenzanwendungen eingesetzt werden?
Ja, er unterstützt schnelles Schalten aufgrund seiner geringen Gate-Ladung von 35 nC bei 10 V.
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon
Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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