Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 19 A 68 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 919-4867
Herst. Teile-Nr.:: IRF9Z34NPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 19 A 68 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 919-4867
Herst. Teile-Nr.:: IRF9Z34NPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	19A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	55V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	100mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	35nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	68W
	Durchlassspannung Vf	-1.6V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	4.69 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	8.77mm
	Länge	10.54mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 55V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 68W
	Durchlassspannung Vf -1.6V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 4.69 mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 8.77mm
	Länge 10.54mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 19A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 68W maximale Verlustleistung - IRF9Z34NPBF

Dieser P-Kanal-MOSFET ist für eine gleichbleibende Leistung bei verschiedenen elektronischen Anwendungen ausgelegt. Mit einem Dauer-Drain-Strom von 19 A und einer Drain-Source-Spannung von 55 V eignet er sich für die Automatisierung und das Power-Management in modernen elektronischen Systemen. Seine robusten thermischen Eigenschaften ermöglichen den Betrieb in schwierigen Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile

• Hohe Stromkapazität für hohe Lastanforderungen

• Maximale Verlustleistung von 68 W verbessert die Haltbarkeit

• Enhancement-Mode-Design unterstützt effiziente Schaltleistung

• Niedrige Gate-Ladung ermöglicht schnelleren Betrieb

• Effektive thermische Eigenschaften gewährleisten stabile Leistung bei hohen Temperaturen

• TO-220AB-Gehäuse bietet praktische Integration in Schaltungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Stromversorgungsschaltungen, bei denen die Effizienz im Vordergrund steht

• Perfekt für die Motorsteuerung in Automatisierungssystemen

• Geeignet für hochfrequente Schaltszenarien

• Einsatz in Energiemanagementsystemen zur Leistungssteigerung

Was ist die maximale Temperatur für diesen MOSFET?

Er kann bei einer Höchsttemperatur von +175 °C betrieben werden und ist dabei effizient und zuverlässig.

Wie geht er mit Schwankungen der Gate-Source-Spannung um?

Er ist für eine maximale Gate-Source-Spannung von ±20 V ausgelegt und bietet somit Flexibilität beim Schaltungsdesign.

Welche Bedeutung hat der niedrige Drain-Source-Widerstand?

Ein maximaler Drain-Source-Widerstand von 100 mΩ erhöht den Wirkungsgrad und verringert die Wärmeentwicklung.

Kann es in Hochfrequenzanwendungen eingesetzt werden?

Ja, er unterstützt schnelles Schalten aufgrund seiner geringen Gate-Ladung von 35 nC bei 10 V.

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.