Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 50 A 300 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
919-5019
Herst. Teile-Nr.:
IRFP260NPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

234nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

20.3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.3 mm

Länge

15.9mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 50A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 300W maximale Verlustleistung - IRFP260NPBF


Dieser MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen vorgesehen und bietet Effizienz und Zuverlässigkeit in verschiedenen elektronischen Systemen. Mit seinem Enhancement-Mode-Design und seinen robusten Stromverarbeitungsfähigkeiten spielt er eine entscheidende Rolle bei der Optimierung der Schaltungsleistung und der effektiven Steuerung der Wärmeabgabe.

Eigenschaften und Vorteile


• Unterstützt kontinuierliche Ableitströme von bis zu 50 A für starke Leistung

• Arbeitet effizient mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 200 V

• Das Design des Enhancement-Modus bietet verbesserte Kontrolle und Vielseitigkeit

• Niedriger Rds(on) von 40mΩ reduziert Energieverluste

• Konzipiert für die Durchgangslochmontage, was eine einfache Installation ermöglicht

Anwendungsbereich


• Einsatz in Stromversorgungsschaltungen zur Bewältigung hoher Ströme

• Geeignet für die Automobilindustrie die langlebige elektronische Komponenten erfordern

• Einsatz in Industrieanlagen zur effektiven Leistungskontrolle

• Häufig in Systemen für erneuerbare Energien zu finden, um die Effizienz zu erhöhen

Wie hoch ist die maximale Verlustleistung für dieses Bauteil?


Die Verlustleistung kann bis zu 300 W betragen, was eine effiziente Leistung bei hoher Belastung gewährleistet.

Wie wirkt sich der niedrige Rds(on) auf die Effizienz der Schaltung aus?


Der niedrige Rds(on) von 40mΩ reduziert die Leitungsverluste erheblich, was den Gesamtwirkungsgrad erhöht und die Wärmeentwicklung während des Betriebs minimiert.

Welche Vorteile bietet der Einsatz dieses MOSFET in Leistungsanwendungen?


Dieser MOSFET bietet einen hohen kontinuierlichen Drain-Strom und arbeitet effektiv über einen weiten Temperaturbereich, wodurch er sich für Leistungsanwendungen eignet.

Lässt er sich leicht mit anderen Komponenten in einem Stromkreis installieren?


Die Durchsteckmontage vereinfacht die Integration in verschiedene Schaltungsdesigns und ermöglicht eine unkomplizierte Montage mit vorhandenen Komponenten.

Wie wirkt sich das Design des Erweiterungsmodus auf die Leistung aus?


Das Enhancement-Mode-Design stellt sicher, dass der Baustein nur dann leitet, wenn eine ausreichende Gate-Spannung anliegt, was die Schalteffizienz verbessert und den unerwünschten Stromfluss während inaktiver Perioden reduziert.

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