DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 10 A 2.14 W, 6-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 921-1050
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2013UFX-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.8.68
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 25. Juni 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | CHF.0.434 | CHF.8.77 |
| 100 - 480 | CHF.0.404 | CHF.8.02 |
| 500 - 980 | CHF.0.394 | CHF.7.84 |
| 1000 - 2480 | CHF.0.384 | CHF.7.64 |
| 2500 + | CHF.0.374 | CHF.7.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 921-1050
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2013UFX-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.14W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8, -8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.1mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Breite | 5.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.14W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8, -8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.1mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Breite 5.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, SMD MOSFET 20 V Erweiterung / 10 A 2.14 W, 6-Pin WDFN
- DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 4.4 A 2.14 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isoliert Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 7.5 A 2.14 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung 2.14 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 5.8 A 2.14 W, 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2.5 A 2.3 W, 6-Pin WDFN
- onsemi Isoliert PowerTrench, SyncFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 16 A 1.9 W, 8-Pin WDFN
- onsemi Isoliert μCool Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 2.3 W, 6-Pin WDFN