Winbond SDRAM 256 MB 32M x 8 bit Oberfläche 8 Bits/Wort 16 bit 55 ns TSOP 66-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-2575
- Herst. Teile-Nr.:
- W9425G6KH-5I
- Marke:
- Winbond
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- RS Best.-Nr.:
- 188-2575
- Herst. Teile-Nr.:
- W9425G6KH-5I
- Marke:
- Winbond
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Winbond | |
| Produkt Typ | SDRAM | |
| Speicher Größe | 256 MB | |
| Organisation | 32M x 8 bit | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Datenbus-Breite | 16 bit | |
| Zugriffszeit max. | 55 ns | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 66 | |
| Adressbusbreite | 15 bit | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Höhe | 1.05 mm | |
| Länge | 22.35 mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85 °C | |
| Maximale Versorgungsspannung | 2.7 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.3 V | |
| Anzahl der Wörter | 32M | |
| Serie | W9425G6KH | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 10.29 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Winbond | ||
Produkt Typ SDRAM | ||
Speicher Größe 256 MB | ||
Organisation 32M x 8 bit | ||
Montageart Oberfläche | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Datenbus-Breite 16 bit | ||
Zugriffszeit max. 55 ns | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 66 | ||
Adressbusbreite 15 bit | ||
Automobilstandard Nein | ||
Höhe 1.05 mm | ||
Länge 22.35 mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 85 °C | ||
Maximale Versorgungsspannung 2.7 V | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.3 V | ||
Anzahl der Wörter 32M | ||
Serie W9425G6KH | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 10.29 mm | ||
The W9425G6KH is a 256M DDR SDRAM and speed involving -4/-5/-5I/-5A.
Up to 250 MHz Clock Frequency
Double Data Rate architecture, two data transfers per clock cycle
Differential clock inputs (CLK and /CLK)
DQS is edge-aligned with data for Read, center-aligned with data for Write
CAS Latency: 2, 2.5, and 3
Burst Length: 2, 4 and 8
Auto Refresh and Self Refresh
Precharged Power Down and Active Power Down
Write Data Mask
Write Latency = 1
7.8μS refresh interval (8K/64 mS refresh)
Maximum burst refresh cycle: 8
Interface: SSTL_2
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