Winbond DDR2 SDRAM 128 MB 16M x 8 Bit Oberfläche 8 Bits/Wort 16 bit 0.4 ns TFBGA 84-Pin

RS Best.-Nr.:: 188-2730
Herst. Teile-Nr.:: W9712G6KB25I
Marke:: Winbond

Winbond DDR2 SDRAM 128 MB 16M x 8 Bit Oberfläche 8 Bits/Wort 16 bit 0.4 ns TFBGA 84-Pin

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 188-2730
Herst. Teile-Nr.:: W9712G6KB25I
Marke:: Winbond

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Winbond
	Speicher Größe	128MB
	Produkt Typ	DDR2 SDRAM
	Organisation	16M x 8 Bit
	Datenbus-Breite	16bit
	Adressbusbreite	15bit
	Anzahl der Bits pro Wort	8
	Zugriffszeit max.	0.4ns
	Anzahl der Wörter	16M
	Montageart	Oberfläche
	Gehäusegröße	TFBGA
	Pinanzahl	84
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	95°C
	Breite	8.1 mm
	Höhe	0.8mm
	Länge	12.6mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Serie	W9712G6KB
	Automobilstandard	Nein
	Maximale Versorgungsspannung	1.9V
	Versorgungsstrom	135mA
	Minimale Versorgungsspannung	1.7V

	Alle auswählen
	Marke Winbond
	Speicher Größe 128MB
	Produkt Typ DDR2 SDRAM
	Organisation 16M x 8 Bit
	Datenbus-Breite 16bit
	Adressbusbreite 15bit
	Anzahl der Bits pro Wort 8
	Zugriffszeit max. 0.4ns
	Anzahl der Wörter 16M
	Montageart Oberfläche
	Gehäusegröße TFBGA
	Pinanzahl 84
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 95°C
	Breite 8.1 mm
	Höhe 0.8mm
	Länge 12.6mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Serie W9712G6KB
	Automobilstandard Nein
	Maximale Versorgungsspannung 1.9V
	Versorgungsstrom 135mA
	Minimale Versorgungsspannung 1.7V

Datasheet W9712G6KB25I

Der W9712G6KB ist ein 128-M-Bit-DDR2-SDRAM mit einer Geschwindigkeit von -25, 25I und -3.

Doppelte Datenraten-Architektur: zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus

CAS-Latenz: 3, 4, 5 und 6

Burst-Länge: 4 und 8

Bidirektional, Differenzial-Datenvalidierungen (DQS und /DQS) werden mit Daten übertragen/empfangen

Flanken-ausgerichtet beim Lesen von Daten und Mitte-ausgerichtet beim Schreiben von Daten

DLL richtet DQ- und DQS-Übergänge auf den Takt aus

Differenzialtakteingänge (CLK und /CLK)

Datenmasken (DM) für das Schreiben von Daten

Befehle, die an jeder positiven CLK-Kante, an Daten- und Datenmaske eingegeben werden, beziehen sich auf beide Kanten von /DQS

Programmierbare additive Latenz /CAS unterstützt, um die Effizienz von Befehlen und Datenbus zu steigern

Leselatenz = Additive Latenz plus CAS-Latenz (RL = AL + CL)

Off-Chip-Impedanzeinstellung des Treibers (OCD) und On-Die-Abschluss (ODT) für bessere Signalqualität

Auto-Precharge-Betrieb zum Lesen und Schreiben von Bursts

Auto-Refresh- und Self-Refresh-Modi

Precharged Abschaltung und aktive Abschaltung

Datenmaske schreiben

Schreiblatenz = Leselatenz - 1 (WL = RL - 1)

Schnittstelle: SSTL_18

Winbond DDR2 SDRAM 128 MB 16M x 8 Bit Oberfläche 8 Bits/Wort 16 bit 0.4 ns TFBGA 84-Pin

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