Winbond SDRAM 128MBit 8M x 16 Bit DDR2 200MHz 8bit Bits/Wort 0.4ns TFBGA 84-Pin, 1,7 V bis 1,9 V
- RS Best.-Nr.:
- 188-2580
- Herst. Teile-Nr.:
- W9712G6KB25I
- Marke:
- Winbond
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- 188-2580
- Herst. Teile-Nr.:
- W9712G6KB25I
- Marke:
- Winbond
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Winbond | |
| Speicher Größe | 128MBit | |
| Organisation | 8M x 16 Bit | |
| SDRAM-Klasse | DDR2 | |
| Datenumfang | 200MHz | |
| Datenbus-Breite | 16bit | |
| Adressbusbreite | 15bit | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 0.4ns | |
| Anzahl der Wörter | 16M | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TFBGA | |
| Pinanzahl | 84 | |
| Abmessungen | 12.6 x 8.1 x 0.8mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Länge | 12.6mm | |
| Arbeitsspannnung min. | 1,7 V | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Arbeitsspannnung max. | 1,9 V | |
| Betriebstemperatur max. | +95 °C | |
| Breite | 8.1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Winbond | ||
Speicher Größe 128MBit | ||
Organisation 8M x 16 Bit | ||
SDRAM-Klasse DDR2 | ||
Datenumfang 200MHz | ||
Datenbus-Breite 16bit | ||
Adressbusbreite 15bit | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Zugriffszeit max. 0.4ns | ||
Anzahl der Wörter 16M | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TFBGA | ||
Pinanzahl 84 | ||
Abmessungen 12.6 x 8.1 x 0.8mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Länge 12.6mm | ||
Arbeitsspannnung min. 1,7 V | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Arbeitsspannnung max. 1,9 V | ||
Betriebstemperatur max. +95 °C | ||
Breite 8.1mm | ||
Der W9712G6KB ist ein 128-M-Bit-DDR2-SDRAM mit einer Geschwindigkeit von -25, 25I und -3.
Doppelte Datenraten-Architektur: zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus
CAS-Latenz: 3, 4, 5 und 6
Burst-Länge: 4 und 8
Bidirektional, Differenzial-Datenvalidierungen (DQS und /DQS) werden mit Daten übertragen/empfangen
Flanken-ausgerichtet beim Lesen von Daten und Mitte-ausgerichtet beim Schreiben von Daten
DLL richtet DQ- und DQS-Übergänge auf den Takt aus
Differenzialtakteingänge (CLK und /CLK)
Datenmasken (DM) für das Schreiben von Daten
Befehle, die an jeder positiven CLK-Kante, an Daten- und Datenmaske eingegeben werden, beziehen sich auf beide Kanten von /DQS
Programmierbare additive Latenz /CAS unterstützt, um die Effizienz von Befehlen und Datenbus zu steigern
Leselatenz = Additive Latenz plus CAS-Latenz (RL = AL + CL)
Off-Chip-Impedanzeinstellung des Treibers (OCD) und On-Die-Abschluss (ODT) für bessere Signalqualität
Auto-Precharge-Betrieb zum Lesen und Schreiben von Bursts
Auto-Refresh- und Self-Refresh-Modi
Precharged Abschaltung und aktive Abschaltung
Datenmaske schreiben
Schreiblatenz = Leselatenz - 1 (WL = RL - 1)
Schnittstelle: SSTL_18
CAS-Latenz: 3, 4, 5 und 6
Burst-Länge: 4 und 8
Bidirektional, Differenzial-Datenvalidierungen (DQS und /DQS) werden mit Daten übertragen/empfangen
Flanken-ausgerichtet beim Lesen von Daten und Mitte-ausgerichtet beim Schreiben von Daten
DLL richtet DQ- und DQS-Übergänge auf den Takt aus
Differenzialtakteingänge (CLK und /CLK)
Datenmasken (DM) für das Schreiben von Daten
Befehle, die an jeder positiven CLK-Kante, an Daten- und Datenmaske eingegeben werden, beziehen sich auf beide Kanten von /DQS
Programmierbare additive Latenz /CAS unterstützt, um die Effizienz von Befehlen und Datenbus zu steigern
Leselatenz = Additive Latenz plus CAS-Latenz (RL = AL + CL)
Off-Chip-Impedanzeinstellung des Treibers (OCD) und On-Die-Abschluss (ODT) für bessere Signalqualität
Auto-Precharge-Betrieb zum Lesen und Schreiben von Bursts
Auto-Refresh- und Self-Refresh-Modi
Precharged Abschaltung und aktive Abschaltung
Datenmaske schreiben
Schreiblatenz = Leselatenz - 1 (WL = RL - 1)
Schnittstelle: SSTL_18
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