Winbond Mobiler LPDDR SDRAM 512 MB 64M x 8 Bit Oberfläche 8 Bits/Wort 16 bit 5 ns VFBGA 60-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-2676
- Herst. Teile-Nr.:
- W949D6DBHX5I
- Marke:
- Winbond
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.16.665
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.3.333 | CHF.16.68 |
| 10 - 20 | CHF.3.242 | CHF.16.23 |
| 25 - 45 | CHF.3.161 | CHF.15.81 |
| 50 - 95 | CHF.3.081 | CHF.15.40 |
| 100 + | CHF.3.00 | CHF.15.02 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-2676
- Herst. Teile-Nr.:
- W949D6DBHX5I
- Marke:
- Winbond
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Winbond | |
| Speicher Größe | 512MB | |
| Produkt Typ | Mobiler LPDDR SDRAM | |
| Organisation | 64M x 8 Bit | |
| Datenbus-Breite | 16bit | |
| Adressbusbreite | 15bit | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Taktfrequenz max. | 200MHz | |
| Zugriffszeit max. | 5ns | |
| Anzahl der Wörter | 64M | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | VFBGA | |
| Pinanzahl | 60 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | LVCMOS Compatible | |
| Serie | W949D6DB | |
| Länge | 9.1mm | |
| Höhe | 0.65mm | |
| Breite | 8.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Maximale Versorgungsspannung | 1.95V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.7V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Winbond | ||
Speicher Größe 512MB | ||
Produkt Typ Mobiler LPDDR SDRAM | ||
Organisation 64M x 8 Bit | ||
Datenbus-Breite 16bit | ||
Adressbusbreite 15bit | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Taktfrequenz max. 200MHz | ||
Zugriffszeit max. 5ns | ||
Anzahl der Wörter 64M | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße VFBGA | ||
Pinanzahl 60 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen LVCMOS Compatible | ||
Serie W949D6DB | ||
Länge 9.1mm | ||
Höhe 0.65mm | ||
Breite 8.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Maximale Versorgungsspannung 1.95V | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.7V | ||
Dies ist ein 512 MB DDR SDRAM mit geringer Leistungsaufnahme, organisiert als 4 M Wörter x 4 Bänke x 16 Bit.
Burst-Typ: Sequentiell oder Interleave
Refresh-Modus serienmäßig
PASR, ATCSR, Abschaltmodus, DPD
Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers
Vier interne Banken für gleichzeitigen Betrieb
Bidirektional, die Datenvalidierung (DQS) wird mit Daten gesendet bzw. empfangen, um Daten am Empfänger zu erfassen
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