Alliance Memory SDRAM 512MBit 32 M x 16 DDR 200MHz 16bit Bits/Wort 5.4ns TSOP 54-Pin, 3 V bis 3,6 V
- RS Best.-Nr.:
- 230-8427
- Herst. Teile-Nr.:
- AS4C32M16SB-7TIN
- Marke:
- Alliance Memory
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Stück | Pro Stück | Pro Schale* |
|---|---|---|
| 108 - 216 | CHF.12.138 | CHF.1’310.45 |
| 324 - 432 | CHF.11.603 | CHF.1’252.84 |
| 540 - 972 | CHF.11.214 | CHF.1’210.88 |
| 1080 + | CHF.10.92 | CHF.1’179.36 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 230-8427
- Herst. Teile-Nr.:
- AS4C32M16SB-7TIN
- Marke:
- Alliance Memory
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | |
| Speicher Größe | 512MBit | |
| Organisation | 32 M x 16 | |
| SDRAM-Klasse | DDR | |
| Datenumfang | 200MHz | |
| Datenbus-Breite | 16bit | |
| Adressbusbreite | 13bit | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit | |
| Zugriffszeit max. | 5.4ns | |
| Anzahl der Wörter | 32 M | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 54 | |
| Abmessungen | 22.35 x 10.29 x 1.2mm | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Länge | 22.35mm | |
| Arbeitsspannnung min. | 3 V | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Breite | 10.29mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Alliance Memory | ||
Speicher Größe 512MBit | ||
Organisation 32 M x 16 | ||
SDRAM-Klasse DDR | ||
Datenumfang 200MHz | ||
Datenbus-Breite 16bit | ||
Adressbusbreite 13bit | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16bit | ||
Zugriffszeit max. 5.4ns | ||
Anzahl der Wörter 32 M | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 54 | ||
Abmessungen 22.35 x 10.29 x 1.2mm | ||
Höhe 1.2mm | ||
Länge 22.35mm | ||
Arbeitsspannnung min. 3 V | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Breite 10.29mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Der Alliance Memory 512 Mb SDRAM ist ein synchroner Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit 512 Mbit/s. Er ist intern als 4 Bänke mit 8M Word x 16 DRAM mit synchroner Schnittstelle konfiguriert (alle Signale werden an der positiven Flanke des Taktsignals CLK registriert). Lese- und Schreibzugriffe auf den SDRAM sind Burst-orientiert
Die Zugriffe beginnen an einem ausgewählten Ort und fahren für eine programmierte Anzahl von Orten in einer programmierten Reihenfolge fort. Die Zugriffe beginnen mit der Registrierung eines Bank-Activate-Befehls, dem dann ein Lese- oder Schreibbefehl folgt.
Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung
8192 Aktualisierungszyklen/64 ms
CKE-Abschaltmodus
Einfaches Netzteil mit +3,3 V ±0,3 V.
8192 Aktualisierungszyklen/64 ms
CKE-Abschaltmodus
Einfaches Netzteil mit +3,3 V ±0,3 V.
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