Alliance Memory SDRAM 64 MB 4M x 16 bit Oberfläche 16 Bits/Wort 16 bit 5.4 ns TSOP 54-Pin

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230-8434
Herst. Teile-Nr.:
AS4C4M16SA-7TCN
Marke:
Alliance Memory
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Marke

Alliance Memory

Speicher Größe

64MB

Produkt Typ

SDRAM

Organisation

4M x 16 bit

Datenbus-Breite

16bit

Adressbusbreite

12bit

Anzahl der Bits pro Wort

16

Taktfrequenz max.

166MHz

Zugriffszeit max.

5.4ns

Anzahl der Wörter

1M

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

TSOP

Pinanzahl

54

Betriebstemperatur min.

0°C

Maximale Betriebstemperatur

70°C

Höhe

1.2mm

Länge

22.35mm

Serie

AS4C4M16SA-C&I

Normen/Zulassungen

No

Breite

22.35 mm

Minimale Versorgungsspannung

3V

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Automobilstandard

Nein

Der Alliance Memory 64 Mb SDRAM ist ein synchroner Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit 64 Mbit/s. Er ist intern als 4 Bänke mit 1M Word x 16 DRAM mit synchroner Schnittstelle konfiguriert (alle Signale werden an der positiven Flanke des Taktsignals CLK registriert). Lese- und Schreibzugriffe auf den SDRAM sind Burst-orientiert; Die Zugriffe beginnen an einem ausgewählten Ort und fahren für eine programmierte Anzahl von Orten in einer programmierten Reihenfolge fort. Die Zugriffe beginnen mit der Registrierung eines Bank-Activate-Befehls, dem dann ein Lese- oder Schreibbefehl folgt.

Schnelle Zugriffszeit ab Uhr: 4,5/5,4/5,4 ns

Schnelle Taktrate: 200/166/143 MHz

Vollständig synchroner Betrieb

Interne verrohrungsbeschlungener Architektur

1 M Wort x 16-Bit x 4-Bank

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