Alliance Memory SDRAM 512MBit 32 M x 16 DDR 200MHz 16bit Bits/Wort 5.4ns TSOP 54-Pin, 3 V bis 3,6 V

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Herst. Teile-Nr.:
AS4C32M16SB-7TIN
Marke:
Alliance Memory
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Marke

Alliance Memory

Speicher Größe

512MBit

SDRAM-Klasse

DDR

Organisation

32 M x 16

Datenumfang

200MHz

Datenbus-Breite

16bit

Adressbusbreite

13bit

Anzahl der Bits pro Wort

16bit

Zugriffszeit max.

5.4ns

Anzahl der Wörter

32 M

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

TSOP

Pinanzahl

54

Abmessungen

22.35 x 10.29 x 1.2mm

Höhe

1.2mm

Länge

22.35mm

Arbeitsspannnung max.

3,6 V

Arbeitsspannnung min.

3 V

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Breite

10.29mm

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Der Alliance Memory 512 Mb SDRAM ist ein synchroner Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit 512 Mbit/s. Er ist intern als 4 Bänke mit 8M Word x 16 DRAM mit synchroner Schnittstelle konfiguriert (alle Signale werden an der positiven Flanke des Taktsignals CLK registriert). Lese- und Schreibzugriffe auf den SDRAM sind Burst-orientiert

Die Zugriffe beginnen an einem ausgewählten Ort und fahren für eine programmierte Anzahl von Orten in einer programmierten Reihenfolge fort. Die Zugriffe beginnen mit der Registrierung eines Bank-Activate-Befehls, dem dann ein Lese- oder Schreibbefehl folgt.

Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung
8192 Aktualisierungszyklen/64 ms
CKE-Abschaltmodus
Einfaches Netzteil mit +3,3 V ±0,3 V.

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