Alliance Memory SDRAM 64 MB 4M x 16 bit Oberfläche 16 Bits/Wort 16 bit 5.4 ns FBGA 54-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 230-8432
- Herst. Teile-Nr.:
- AS4C4M16SA-7BCN
- Marke:
- Alliance Memory
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|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.4.575 | CHF.22.87 |
| 10 - 20 | CHF.4.101 | CHF.20.48 |
| 25 - 45 | CHF.4.05 | CHF.20.24 |
| 50 - 95 | CHF.4.03 | CHF.20.17 |
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- RS Best.-Nr.:
- 230-8432
- Herst. Teile-Nr.:
- AS4C4M16SA-7BCN
- Marke:
- Alliance Memory
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | |
| Speicher Größe | 64MB | |
| Produkt Typ | SDRAM | |
| Datenbus-Breite | 16bit | |
| Adressbusbreite | 12bit | |
| Taktfrequenz max. | 166MHz | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Zugriffszeit max. | 5.4ns | |
| Anzahl der Wörter | 1M | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | FBGA | |
| Pinanzahl | 54 | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Länge | 8mm | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | AS4C4M16SA-C&I | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Alliance Memory | ||
Speicher Größe 64MB | ||
Produkt Typ SDRAM | ||
Datenbus-Breite 16bit | ||
Adressbusbreite 12bit | ||
Taktfrequenz max. 166MHz | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Zugriffszeit max. 5.4ns | ||
Anzahl der Wörter 1M | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße FBGA | ||
Pinanzahl 54 | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Länge 8mm | ||
Höhe 1.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie AS4C4M16SA-C&I | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Alliance Memory 64 Mb SDRAM ist ein synchroner Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit 64 Mbit/s. Er ist intern als 4 Bänke mit 1M Word x 16 DRAM mit synchroner Schnittstelle konfiguriert (alle Signale werden an der positiven Flanke des Taktsignals CLK registriert). Lese- und Schreibzugriffe auf den SDRAM sind Burst-orientiert; Die Zugriffe beginnen an einem ausgewählten Ort und fahren für eine programmierte Anzahl von Orten in einer programmierten Reihenfolge fort. Die Zugriffe beginnen mit der Registrierung eines Bank-Activate-Befehls, dem dann ein Lese- oder Schreibbefehl folgt.
Schnelle Zugriffszeit ab Uhr: 4,5/5,4/5,4 ns
Schnelle Taktrate: 200/166/143 MHz
Vollständig synchroner Betrieb
Interne verrohrungsbeschlungener Architektur
1 M Wort x 16-Bit x 4-Bank
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