Infineon 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k 104MHz, 8bit / Wort, 2,4 V bis 2,6 V, SOIC 16-Pin

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RS Best.-Nr.:
181-8270
Herst. Teile-Nr.:
CY14B101PA-SFXI
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Speicher Größe

1MBit

Organisation

128.000 x 8 Bit

Anzahl der Wörter

128k

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Zugriffszeit max.

15ns

Taktfrequenz

104MHz

Low Power

Ja

Timing Typ

Synchron

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

16

Abmessungen

10.49 x 7.59 x 2.36mm

Höhe

2.36mm

Arbeitsspannnung max.

2,6 V

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Länge

10.49mm

Arbeitsspannnung min.

2,4 V

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Breite

7.59mm

Der Cypress CY14X101PA kombiniert einen 1-Mbit-nv-SRAM[1] mit einer voll ausgestatteten RTC in einer monolithischen integrierten Schaltung mit serieller SPI-Schnittstelle. Der Speicher ist in 128 K Wörter mit jeweils 8 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente enthalten die Quantum-Trap-Technologie und schaffen so den weltweit zuverlässigsten nichtflüchtigen Speicher. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während die Quantum-Trap-Zellen eine äußerst zuverlässige, nichtflüchtige Speicherung von Daten bieten. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nichtflüchtigen Elementen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher (RECALL-Betrieb) im SRAM wiederhergestellt. Sie können die STORE- und RECALL-Vorgänge auch über SPI-Befehle initiieren.

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