Infineon 1 MB SRAM 128k 104 MHz, 8 / Wort 8 bit, SOIC 16-Pin

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RS Best.-Nr.:
181-8270
Herst. Teile-Nr.:
CY14B101PA-SFXI
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

SRAM

Speicher Größe

1MB

Anzahl der Wörter

128k

Anzahl der Bits pro Wort

8

Zugriffszeit max.

15ns

Adressbusbreite

8bit

Taktfrequenz max.

104MHz

Minimale Versorgungsspannung

2.4V

Timing Typ

Synchron

Montageart

Oberfläche

Maximale Versorgungsspannung

2.6V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

16

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Serie

CY14B101PA

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.49mm

Höhe

2.36mm

Automobilstandard

Nein

Der Cypress CY14X101PA kombiniert einen 1-Mbit-nv-SRAM[1] mit einer voll ausgestatteten RTC in einer monolithischen integrierten Schaltung mit serieller SPI-Schnittstelle. Der Speicher ist in 128 K Wörter mit jeweils 8 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente enthalten die Quantum-Trap-Technologie und schaffen so den weltweit zuverlässigsten nichtflüchtigen Speicher. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während die Quantum-Trap-Zellen eine äußerst zuverlässige, nichtflüchtige Speicherung von Daten bieten. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nichtflüchtigen Elementen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher (RECALL-Betrieb) im SRAM wiederhergestellt. Sie können die STORE- und RECALL-Vorgänge auch über SPI-Befehle initiieren.

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