Infineon 1 MB SRAM 128k 104 MHz, 8 / Wort 8 bit, SOIC 16-Pin

Zwischensumme 1 Stück (geliefert in Stange)*

CHF.10.666

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 603 Einheit(en) mit Versand ab 30. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 +CHF.10.67

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
181-8377P
Herst. Teile-Nr.:
CY14B101PA-SFXI
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Speicher Größe

1MB

Produkt Typ

SRAM

Anzahl der Wörter

128k

Anzahl der Bits pro Wort

8

Zugriffszeit max.

15ns

Adressbusbreite

8bit

Taktfrequenz max.

104MHz

Timing Typ

Synchron

Minimale Versorgungsspannung

2.4V

Montageart

Oberfläche

Maximale Versorgungsspannung

2.6V

Gehäusegröße

SOIC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Pinanzahl

16

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.49mm

Höhe

2.36mm

Serie

CY14B101PA

Automobilstandard

Nein

Der Cypress CY14X101PA kombiniert einen 1-Mbit-nv-SRAM[1] mit einer voll ausgestatteten RTC in einer monolithischen integrierten Schaltung mit serieller SPI-Schnittstelle. Der Speicher ist in 128 K Wörter mit jeweils 8 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente enthalten die Quantum-Trap-Technologie und schaffen so den weltweit zuverlässigsten nichtflüchtigen Speicher. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während die Quantum-Trap-Zellen eine äußerst zuverlässige, nichtflüchtige Speicherung von Daten bieten. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nichtflüchtigen Elementen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher (RECALL-Betrieb) im SRAM wiederhergestellt. Sie können die STORE- und RECALL-Vorgänge auch über SPI-Befehle initiieren.

Verwandte Links