Infineon 1 MB SRAM 128k 104 MHz, 8 / Wort 8 bit, SOIC 16-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 181-8377P
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B101PA-SFXI
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 181-8377P
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B101PA-SFXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 1MB | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Organisation | 128K x 8 bit | |
| Anzahl der Wörter | 128k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Zugriffszeit max. | 15ns | |
| Adressbusbreite | 8bit | |
| Taktfrequenz max. | 104MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.4V | |
| Timing Typ | Synchron | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Maximale Versorgungsspannung | 2.6V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Serie | CY14B101PA | |
| Länge | 10.49mm | |
| Höhe | 2.36mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 7.59 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 1MB | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Organisation 128K x 8 bit | ||
Anzahl der Wörter 128k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Zugriffszeit max. 15ns | ||
Adressbusbreite 8bit | ||
Taktfrequenz max. 104MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.4V | ||
Timing Typ Synchron | ||
Montageart Oberfläche | ||
Maximale Versorgungsspannung 2.6V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Pinanzahl 16 | ||
Serie CY14B101PA | ||
Länge 10.49mm | ||
Höhe 2.36mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 7.59 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Cypress CY14X101PA kombiniert einen 1-Mbit-nv-SRAM[1] mit einer voll ausgestatteten RTC in einer monolithischen integrierten Schaltung mit serieller SPI-Schnittstelle. Der Speicher ist in 128 K Wörter mit jeweils 8 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente enthalten die Quantum-Trap-Technologie und schaffen so den weltweit zuverlässigsten nichtflüchtigen Speicher. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während die Quantum-Trap-Zellen eine äußerst zuverlässige, nichtflüchtige Speicherung von Daten bieten. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nichtflüchtigen Elementen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher (RECALL-Betrieb) im SRAM wiederhergestellt. Sie können die STORE- und RECALL-Vorgänge auch über SPI-Befehle initiieren.
