Renesas Electronics 1 MB SRAM 128k, 8 / Wort, TSOP-44 32-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 263-7906
- Herst. Teile-Nr.:
- 71024S12TYG
- Marke:
- Renesas Electronics
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|---|---|---|
| 2 - 2 | CHF.3.413 | CHF.6.83 |
| 4 - 8 | CHF.3.339 | CHF.6.69 |
| 10 - 22 | CHF.3.087 | CHF.6.19 |
| 24 - 44 | CHF.3.014 | CHF.6.03 |
| 46 + | CHF.3.003 | CHF.6.01 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 263-7906
- Herst. Teile-Nr.:
- 71024S12TYG
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Speicher Größe | 1MB | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Organisation | 128k x 8 | |
| Anzahl der Wörter | 128k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Zugriffszeit max. | 12ns | |
| Timing Typ | Asynchron | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | TSOP-44 | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Pinanzahl | 32 | |
| Höhe | 2.67mm | |
| Serie | 71024S | |
| Länge | 21.95mm | |
| Breite | 7.6 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Versorgungsstrom | 160mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Speicher Größe 1MB | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Organisation 128k x 8 | ||
Anzahl der Wörter 128k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Zugriffszeit max. 12ns | ||
Timing Typ Asynchron | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße TSOP-44 | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Pinanzahl 32 | ||
Höhe 2.67mm | ||
Serie 71024S | ||
Länge 21.95mm | ||
Breite 7.6 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Versorgungsstrom 160mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der CMOS-Static-RAM 6 von Renesas Electronics ist ein Hochgeschwindigkeits-Static-RAM, der als 64 K x 16 organisiert ist. Es wird mit Hochleistungs- und hochzuverlässiger CMOS-Technologie gefertigt. Diese modernste Technologie in Kombination mit innovativen Schaltkreis-Designtechniken bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeits-Speicheranforderungen. Alle bidirektionalen Eingänge und Ausgänge des RAM sind TTL-kompatibel, und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 5-V-Versorgung. Es werden vollständig statische asynchrone Schaltkreise verwendet, die keine Uhren oder Aktualisierungen für den Betrieb erfordern.
Ein Chip-Auswahlstift plus ein Ausgangs-Aktivierungsstift
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt TTL-kompatibel
Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen
Aktivierungsstifte für obere und untere Byte
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