Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

55737 Produkte angezeigt für Diskrete Halbleiter

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Vorübergehend ausverkauft
Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 81 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 249-6903
  • Herst. Teile-Nr. IPB80N06S4L07ATMA2
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)
CHF.779.00
CHF.0.779/Stück
Auf Lager
DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10 A 1.73 W, 6-Pin UDFN-2020
  • RS Best.-Nr. 246-7516
  • Herst. Teile-Nr. DMN3016LFDFQ-7
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)
CHF.7.90
CHF.0.316/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Infineon Halbbrücke OptiMOSTM Typ N-Kanal Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 45 A 41 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
  • RS Best.-Nr. 249-6887
  • Herst. Teile-Nr. IAUC45N04S6N070HATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.6.42
CHF.1.284/Stück
Auf Lager
Infineon Halbbrücke OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 60 A 75 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
  • RS Best.-Nr. 249-6892
  • Herst. Teile-Nr. IAUC60N04S6N031HATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
CHF.4.92
CHF.2.46/Stück
Auf Lager
Infineon BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 0.3 A 81 W, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 250-0548
  • Herst. Teile-Nr. BSS159NH6906XTSA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
CHF.522.00
CHF.0.174/Stück
Vorübergehend ausverkauft
STMicroelectronics A2F, Chassis SiC-Leistungsmodul 1200 V Erweiterung / 75 A ACEPACK 2
  • RS Best.-Nr. 249-6717
  • Herst. Teile-Nr. A2F12M12W2-F1
Zwischensumme (1 Schale mit 18 Stück)
CHF.4'026.366
CHF.223.687/Stück
Auf Lager
Infineon IMBG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 64 A 81 W, 7-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 248-9321
  • Herst. Teile-Nr. IMBG65R072M1HXTMA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.7.32
CHF.7.32/Stück
Auf Lager
Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 0.15 A 81 W, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 250-0557
  • Herst. Teile-Nr. BSS315PH6327XTSA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
CHF.180.00
CHF.0.06/Stück
Auf Lager
Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 249-6909
  • Herst. Teile-Nr. IPB80P03P4L04ATMA2
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.2.48
CHF.2.48/Stück
Auf Lager
Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 190 A 81 W, 8-Pin HSOF-8
  • RS Best.-Nr. 249-3349
  • Herst. Teile-Nr. IPT039N15N5ATMA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.5.81
CHF.5.81/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon IAUZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 30 A 81 W, 8-Pin PQFN
  • RS Best.-Nr. 249-6897
  • Herst. Teile-Nr. IAUZ30N06S5L140ATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)
CHF.1'210.00
CHF.0.242/Stück
Derzeit nicht erhältlich
STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 30 A, 7-Pin H2PAK-7
  • RS Best.-Nr. 249-6654
  • Herst. Teile-Nr. SCT040H65G3AG
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.13.93
CHF.13.93/Stück
Nur noch Restbestände
Infineon BSP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 40 V / 0.12 A 81 W, 3-Pin SOT-223
  • RS Best.-Nr. 250-0531
  • Herst. Teile-Nr. BSP149H6906XTSA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)
CHF.374.00
CHF.0.374/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon IMZA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 225 A 81 W, 4-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 248-6673
  • Herst. Teile-Nr. IMZA120R007M1HXKSA1
Zwischensumme (1 Stange mit 240 Stück)
CHF.8'346.24
CHF.34.776/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon IMBG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 1200 V / 18 A 81 W, 7-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 249-6951
  • Herst. Teile-Nr. IMBG120R140M1HXTMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)
CHF.2'419.00
CHF.2.419/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon AUIRFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 72 A 81 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 249-6875
  • Herst. Teile-Nr. AUIRFS4127TRL
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)
CHF.2'832.00
CHF.3.54/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 230 A 81 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 249-6870
  • Herst. Teile-Nr. AUIRF6215
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.3.74
CHF.3.74/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 421 A 150 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
  • RS Best.-Nr. 252-0248
  • Herst. Teile-Nr. SIDR500EP-T1-RE3
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
CHF.6'429.00
CHF.2.143/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Microchip MSC25SMA330B4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 3300 V / 104 A 81 W TO-247
  • RS Best.-Nr. 249-4128
  • Herst. Teile-Nr. MSC025SMA330B4
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.181.04
CHF.181.04/Stück
Lieferengpass
Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 245 A 214 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
  • RS Best.-Nr. 252-0316
  • Herst. Teile-Nr. SQJQ186E-T1_GE3
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
CHF.7.70
CHF.3.85/Stück
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