Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

55753 Produkte angezeigt für Diskrete Halbleiter

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IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 96 A 480 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 194-322
  • Herst. Teile-Nr. IXFH96N15P
Zwischensumme (1 Stück)
CHF 6.85
CHF 6.85/Stück
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IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 7 A 200 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 194-136P
  • Herst. Teile-Nr. IXFP7N80P
Zwischensumme 5 Stück (geliefert in Stange)
CHF 30.26
CHF 6.052/Stück
Vorübergehend ausverkauft
IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 200 V / 115 A 680 W, 4-Pin SOT-227
  • RS Best.-Nr. 193-616P
  • Herst. Teile-Nr. IXFN140N20P
Zwischensumme 1 Stück (geliefert in Stange)
CHF 36.35
CHF 36.35/Stück
Begrenzter Lagerbestand
IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 50 A 360 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 193-420P
  • Herst. Teile-Nr. IXTP50N20P
Zwischensumme 1 Stück (geliefert in Stange)
CHF 6.71
CHF 6.71/Stück
Vorübergehend ausverkauft
IXYS IGBT-Modul / 135 A, 1200 V 560 W, 7-Pin Y4-M5 N-Kanal Oberfläche
  • RS Best.-Nr. 193-874
  • Herst. Teile-Nr. MII100-12A3
Zwischensumme (1 Stück)
CHF 76.32
CHF 76.32/Stück
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IXYS Zweifachthyristormodul 165 A 2200 V, Gate-Trigger 150 mA 6.4 kA 1.36 V 7-Pin
  • RS Best.-Nr. 194-518
  • Herst. Teile-Nr. MCC161-22IO1
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CHF 152.81
CHF 152.81/Stück
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IXYS SCR Thyristoren 19 A TO-247 1600 V, Gate-Trigger 65 mA 215 A 2.1 V
  • RS Best.-Nr. 194-366
  • Herst. Teile-Nr. CS20-16IO1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF 7.05
CHF 7.05/Stück
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IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 300 V / 88 A 600 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 193-559P
  • Herst. Teile-Nr. IXFH88N30P
Zwischensumme 1 Stück (geliefert in Stange)
CHF 17.48
CHF 17.48/Stück
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IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 24 A 650 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 194-079P
  • Herst. Teile-Nr. IXFH24N80P
Zwischensumme 1 Stück (geliefert in Stange)
CHF 8.72
CHF 8.72/Stück
Vorübergehend ausverkauft
IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 300 V / 86 A 570 W, 4-Pin SOT-227
  • RS Best.-Nr. 193-464P
  • Herst. Teile-Nr. IXFN102N30P
Zwischensumme 1 Stück (geliefert in Stange)
CHF 27.84
CHF 27.84/Stück
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IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 170 A 714 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 193-509P
  • Herst. Teile-Nr. IXFH170N10P
Zwischensumme 1 Stück (geliefert in Stange)
CHF 12.44
CHF 12.44/Stück
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IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 300 V / 115 A 700 W, 4-Pin SOT-227
  • RS Best.-Nr. 193-739
  • Herst. Teile-Nr. IXFN140N30P
Zwischensumme (1 Stück)
CHF 33.02
CHF 33.02/Stück
Vorübergehend ausverkauft
IXYS Thyristormodul 320 A 1600 V, Gate-Trigger 150 mA 10.1 kA 1.32 V 5-Pin
  • RS Best.-Nr. 193-997
  • Herst. Teile-Nr. MCD312-16IO1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF 210.42
CHF 210.42/Stück
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IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 96 A 600 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 193-442P
  • Herst. Teile-Nr. IXFH96N20P
Zwischensumme 1 Stück (geliefert in Stange)
CHF 7.66
CHF 7.66/Stück
Auf Lager
IXYS IGBT / 75 A, 1200 V 380 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
  • RS Best.-Nr. 192-988
  • Herst. Teile-Nr. IXGH40N120B2D1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF 14.03
CHF 14.03/Stück
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IXYS DSEI60 Durchsteckmontage Diode Wechselnd Gemeinsame Kathode, 600 V / 30 A, 3-Pin TO-247AD
  • RS Best.-Nr. 193-082
  • Herst. Teile-Nr. DSEK60-06A
Zwischensumme (1 Stück)
CHF 6.87
CHF 6.87/Stück
Vorübergehend ausverkauft
IXYS MDD312 Panel Diode Universal Serie, 1600 V / 310 A, 3-Pin Y1-CU
  • RS Best.-Nr. 192-859
  • Herst. Teile-Nr. MDD312-16N1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF 180.85
CHF 180.85/Stück
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IXYS DSEI12-12A Durchsteckmontage Diode Wechselnd Einfach, 1200 V / 11 A, 2-Pin TO-220AC
  • RS Best.-Nr. 192-354P
  • Herst. Teile-Nr. DSEI12-12A
Zwischensumme 5 Stück (geliefert in Stange)
CHF 17.00
CHF 3.40/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Taiwan Semiconductor Gemeinsamer Drain TSM6968D N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 6.5 A 1.04 W, 8-Pin
  • RS Best.-Nr. 398-449
  • Herst. Teile-Nr. TSM6968DCA RVG
Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)
CHF 9.90
CHF 0.198/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Taiwan Semiconductor Gemeinsamer Drain TSM6968D N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 6.5 A 1.04 W, 8-Pin
  • RS Best.-Nr. 398-449P
  • Herst. Teile-Nr. TSM6968DCA RVG
Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
CHF 9.90
CHF 0.198/Stück
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