Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

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Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 260 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 130-0966
  • Herst. Teile-Nr. IRF8010STRLPBF
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.16.92
CHF.3.384/Stück
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ROHM RQ5A030AP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 3 A 1 W, 3-Pin SC-96
  • RS Best.-Nr. 124-6804
  • Herst. Teile-Nr. RQ5A030APTL
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)
CHF.5.925
CHF.0.237/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 22 A 27 W, 8-Pin TSON
  • RS Best.-Nr. 133-2814
  • Herst. Teile-Nr. TPN30008NH,LQ(S
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)
CHF.6.44
CHF.0.322/Stück
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Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 171 A 125 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 130-1015
  • Herst. Teile-Nr. IRLB8314PBF
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
CHF.11.41
CHF.1.141/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Nexperia NX3008NBKW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 350 mA 830 mW, 3-Pin SC-70
  • RS Best.-Nr. 136-4889
  • Herst. Teile-Nr. NX3008NBKW,115
Zwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)
CHF.12.10
CHF.0.121/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 15.8 A 130 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 125-0541
  • Herst. Teile-Nr. TK16E60W5,S1VX(S
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.12.31
CHF.2.462/Stück
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Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 300 A 300 W, 9-Pin HSOF
  • RS Best.-Nr. 130-0929
  • Herst. Teile-Nr. IPT004N03LATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
CHF.7.34
CHF.3.67/Stück
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Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 156 W, 8-Pin PQFN
  • RS Best.-Nr. 130-0973
  • Herst. Teile-Nr. IRFH5006TRPBF
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.14.16
CHF.2.832/Stück
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Wolfspeed C3M Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 35 A 113.5 W, 4-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 125-3453
  • Herst. Teile-Nr. C3M0065100K
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.11.12
CHF.11.12/Stück
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DiodesZetex Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / -4.5 A 1.5 W, 6-Pin DFN
  • RS Best.-Nr. 133-3343
  • Herst. Teile-Nr. DMP2065UFDB-7
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)
CHF.7.46
CHF.0.373/Stück
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ROHM RQ5E035AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.5 A 1 W, 3-Pin SC-96
  • RS Best.-Nr. 133-3299
  • Herst. Teile-Nr. RQ5E035ATTCL
Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)
CHF.15.25
CHF.0.305/Stück
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Texas Instruments NexFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 104 A 96 W, 8-Pin VSON
  • RS Best.-Nr. 133-0156
  • Herst. Teile-Nr. CSD25404Q3T
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.8.26
CHF.1.652/Stück
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Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 A 380 W, 8-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 130-1026
  • Herst. Teile-Nr. IRLS3036TRL7PP
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
CHF.9.77
CHF.4.885/Stück
Auf Lager
Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 61 A 140 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 130-1005
  • Herst. Teile-Nr. IRFS4510TRLPBF
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.11.22
CHF.2.244/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Nexperia BSH205G2 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.3 A 6.25 W, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 136-4786
  • Herst. Teile-Nr. BSH205G2R
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
CHF.291.00
CHF.0.097/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 15 A 46 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 133-2798
  • Herst. Teile-Nr. TK15S04N1L,LQ(O
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.3.71
CHF.0.742/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 124-9014
  • Herst. Teile-Nr. IRFP4110PBF
Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)
CHF.40.075
CHF.1.603/Stück
Vorübergehend ausverkauft
DiodesZetex DMN2011UFDF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 14.2 A 2.1 W, 6-Pin UDFN
  • RS Best.-Nr. 133-3344
  • Herst. Teile-Nr. DMN2011UFDF-7
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)
CHF.7.50
CHF.0.375/Stück
Vorübergehend ausverkauft
ROHM RQ5E035BN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.5 A 1 W, 3-Pin TSMT
  • RS Best.-Nr. 133-3300
  • Herst. Teile-Nr. RQ5E035BNTCL
Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)
CHF.8.65
CHF.0.173/Stück
Auf Lager
Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 30.8 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 125-0563
  • Herst. Teile-Nr. TK31E60X,S1X(S
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
CHF.9.38
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