Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

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ROHM BM2P Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 730 V / 4 A 1 W, 7-Pin DIP-7K
  • RS Best.-Nr. 331-722
  • Herst. Teile-Nr. BM2P10A3J-Z
Zwischensumme (1 Beutel mit 5 Stück)
CHF.6.33
CHF.1.266/Stück
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Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 610 A 333 W, 9-Pin PG-TTFN-9
  • RS Best.-Nr. 284-925
  • Herst. Teile-Nr. IQD005N04NM6CGATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)
CHF.14'535.00
CHF.2.907/Stück
Wird eingestellt
Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 2000 V / 89 A 576 W, 4-Pin
  • RS Best.-Nr. 284-864
  • Herst. Teile-Nr. IMYH200R024M1HXKSA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.40.93
CHF.40.93/Stück
Auf Lager
ROHM SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 24 A 93 W, 7-Pin TO-263-7LA
  • RS Best.-Nr. 264-886
  • Herst. Teile-Nr. SCT4062KWAHRTL
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.8.70
CHF.8.70/Stück
Vorbestellbares Neuprodukt
Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 62 A 94 W, 8-Pin PG-TSDSON-8
  • RS Best.-Nr. 285-061
  • Herst. Teile-Nr. ISZ106N12LM6ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.14.64
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Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 144 A 136 W, 8-Pin PG-WSON-8
  • RS Best.-Nr. 284-641
  • Herst. Teile-Nr. BSC033N08NS5SCATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)
CHF.5'184.00
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ROHM RD3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A 142 W, 3-Pin TO-252
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Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 24 A 43 W, 8-Pin PG-TSDSON-8
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Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 2000 V / 60 A, 4-Pin
  • RS Best.-Nr. 284-861
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CHF.71.74/Stück
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Vishay MXP120A Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 29 A 139 W, 3-Pin TO-247AD 3L
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Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 637 A 333 W, 9-Pin PG-TTFN-9
  • RS Best.-Nr. 285-038
  • Herst. Teile-Nr. IQDH45N04LM6CGATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)
CHF.11'760.00
CHF.2.352/Stück
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STMicroelectronics STF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 800 V / 10 A 24.5 W, 3-Pin TO-220FP
  • RS Best.-Nr. 330-460
  • Herst. Teile-Nr. STF80N450K6
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.3.19
CHF.3.19/Stück
Derzeit nicht erhältlich
STMicroelectronics ADP, Oberfläche MOSFET 1200 V / 488 A 869 W, 9-Pin ACEPACK ANTRIEB
  • RS Best.-Nr. 330-416
  • Herst. Teile-Nr. ADP480120W3
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.2'480.62
CHF.2'480.62/Stück
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Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 86 A 125 W, 8-Pin PG-TDSON-8
  • RS Best.-Nr. 285-048
  • Herst. Teile-Nr. ISC073N12LM6ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.17.34
CHF.3.468/Stück
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Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 273 A 333 W, 9-Pin PG-TTFN-9
  • RS Best.-Nr. 284-934
  • Herst. Teile-Nr. IQD020N10NM5CGATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)
CHF.10'860.00
CHF.2.172/Stück
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onsemi NCV Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Doppelt 65 V 1.2 W, 8-Pin SOIC-8
  • RS Best.-Nr. 327-795
  • Herst. Teile-Nr. NCV8406DD1CR2G
Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)
CHF.7.78
CHF.0.778/Stück
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Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 637 A 333 W, 9-Pin PG-TTFN-9
  • RS Best.-Nr. 285-039
  • Herst. Teile-Nr. IQDH45N04LM6CGATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
CHF.12.22
CHF.6.11/Stück
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ROHM BM2P Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 730 V / 4 A 1 W, 7-Pin DIP-7K
  • RS Best.-Nr. 331-724
  • Herst. Teile-Nr. BM2P06A3J-Z
Zwischensumme (1 Beutel mit 5 Stück)
CHF.6.28
CHF.1.256/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 120 V Erweiterung, 8-Pin PG-TDSON-8 FL
  • RS Best.-Nr. 285-045
  • Herst. Teile-Nr. ISC037N12NM6ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
CHF.8.54
CHF.4.27/Stück
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onsemi NVH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 50 A 187 W, 4-Pin TO-247-4L
  • RS Best.-Nr. 327-806
  • Herst. Teile-Nr. NVH4L023N065M3S
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.17.62
CHF.17.62/Stück
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