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IGBT

IGBTs, oder auch als IGBT-Transistoren (bipolare Transistoren mit isoliertem Gate) bekannt, sind Halbleiter, die hauptsächlich als Schalteinheiten verwendet werden, um den Stromfluss zu ermöglichen oder zu stoppen. Sie haben viele Vorteile, unter anderem hohe Spannungskapazität, einfache Ansteuerung, niedriger Einschaltwiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit. Sie bilden eine Mischung zwischen zwei der gängigsten Transistoren, Bipolartransistoren und MOSFET.

Wie funktionieren IGBT-Transistoren?

IGBT-Transistoren sind Drei-End-Einheiten, die eine Spannung an einen Halbleiter anlegen und seine Eigenschaften ändern, um den Leistungsfluss im ausgeschalteten Zustand zu blockieren und den Leistungsfluss im eingeschalteten Zustand zu ermöglichen. Sie werden durch eine Metalloxid-Halbleiter-Gate-Struktur gesteuert. IGBT-Transistoren werden häufig zum Schalten von elektrischer Energie in Anwendungen wie Schweißen, Elektroautos, Klimaanlagen, Züge und unterbrechungsfreie Stromversorgungen eingesetzt.

Welche verschiedenen Arten von IGBT-Transistoren gibt es?

Es gibt verschiedene Arten von IGBT-Transistoren, die nach Parametern wie maximale Spannung, Kollektorstrom, Gehäuseart und Schaltgeschwindigkeit kategorisiert sind. Der Typ des ausgewählten IGBT-Transistors ist abhängig von der genauen Leistungsstufe und den zu berücksichtigenden Anwendungen.

Was ist der Unterschied zwischen MOSFETs vs IGBTs?

Ein IGBT hat einen deutlich niedrigeren Durchlassspannungsabfall im Vergleich mit einem konventionellen MOSFET in Einheiten mit höherer Sperrspannung. MOSFETs zeichnen sich jedoch durch eine geringere Durchlassspannung bei niedrigeren Stromdichten aus, da die Diode VF (Forward Voltage) im Ausgang BJT des IGBT fehlt.

Ein IGBT-Modul (isolierter Bipolartransistor mit isoliertem Gate) besteht aus einem oder mehreren IGBTs und wird aufgrund seiner Zuverlässigkeit in vielen Industrieanlagen eingesetzt. IGBT-Transistoren sind eine Mischung zwischen Bipolartransistoren (BJTs) und MOSFET. Sie sind höchst effizient und schnell und verfügen über eine hohe Strom- und niedrige Sättigungsspannung.

Was sind typische Anwendungen von IGBTs?

Elektromotoren
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
Solarmodul-Installationen
Schweißgeräte
Spannungswandler und Invertoren
Induktionsladegeräte
Induktionsherde

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ROHM IGBT / 40 A ±30V max. , 650 V 144 W To-247GE RS Best.-Nr.: 241-2287 Herst. Teile-Nr.: RGTH40TS65DGC13 Datenblätter: CHF.5.082 Stück (In einer VPE à 2)	ROHM	40 A	-	-	±30V	1	144 W	To-247GE	Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate	-	-	-	-	-	-
Infineon IGBT / 30 A ±20V max. , 650 V 83 W, 3-Pin To-247-3-HCC N-Kanal RS Best.-Nr.: 232-6737 Herst. Teile-Nr.: IKWH30N65WR6XKSA1 Datenblätter: CHF.2.279 Stück (In einer Stange von 30)	Infineon	30 A	-	-	±20V	1	83 W	To-247-3-HCC	Single	THT	N	3	-	Einfach	-
STMicroelectronics IGBT / 200 A ±20V max. Dual, 650 V 714 W, 9-Pin ECOPACK NPN-Kanal RS Best.-Nr.: 273-5094 Herst. Teile-Nr.: STGSB200M65DF2AG Datenblätter: CHF.18.879 Stück	STMicroelectronics	200 A	-	-	±20V	2	714 W	ECOPACK	Single	SMD	NPN	9	-	-	-
onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 349 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal RS Best.-Nr.: 124-1336 Herst. Teile-Nr.: FGH40N60SMD Datenblätter: CHF.2.289 Stück (In einer Stange von 30)	onsemi	80 A	-	-	±20V	-	349 W	TO-247	-	THT	N	3	-	Einfach	15.6 x 4.7 x 20.6mm
onsemi IGBT / 70 A ±20V max., 650 V 300 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal RS Best.-Nr.: 163-0258 Herst. Teile-Nr.: NGTB35N65FL2WG Datenblätter: CHF.4.389 Stück (In einer Stange von 30)	onsemi	70 A	-	-	±20V	-	300 W	TO-247	-	THT	N	3	1MHz	Einfach	16.26 x 5.3 x 21.08mm
Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 650 V 105 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal RS Best.-Nr.: 110-7724 Herst. Teile-Nr.: IKP15N65F5XKSA1 Datenblätter: CHF.2.52 Stück (In einer VPE à 5)	Infineon	30 A	-	-	±20V	-	105 W	TO-220	-	THT	N	3	-	Einfach	10.36 x 4.57 x 15.95mm
Infineon IGBT-Modul / 150 A ±20V max., 1200 V 790 W AG-34MM-1 N-Kanal RS Best.-Nr.: 166-0838 Herst. Teile-Nr.: FF150R12RT4HOSA1 Datenblätter: CHF.114.009 Stück (In einem Tray von 10)	Infineon	150 A	-	-	±20V	-	790 W	AG-34MM-1	Serie	Tafelmontage	N	-	-	Serie	94 x 34 x 30.2mm
STMicroelectronics IGBT / 20 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-220 N-Kanal RS Best.-Nr.: 168-6468 Herst. Teile-Nr.: STGP10NC60KD Datenblätter: CHF.0.966 Stück (In einer Stange von 50)	STMicroelectronics	20 A	-	-	±20V	-	-	TO-220	-	THT	N	3	-	Einfach	10.4 x 4.6 x 9.15mm
Infineon IGBT / 26 A ±20V max., 600 V 130 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal RS Best.-Nr.: 110-7783 Herst. Teile-Nr.: IKP15N60TXKSA1 Datenblätter: CHF.0.714 Stück (In einer VPE à 10)	Infineon	26 A	-	-	±20V	-	130 W	TO-220	-	THT	N	3	-	Einfach	10.36 x 4.57 x 15.95mm
Infineon IGBT 35,7 W PG-TO220-3 RS Best.-Nr.: 258-0995 Herst. Teile-Nr.: IKA15N60TXKSA1 Datenblätter: CHF.0.725 Stück (In einer VPE à 2)	Infineon	-	-	-	-	-	35,7 W	PG-TO220-3	-	-	-	-	-	-	-
onsemi Smart Power Modul 6-fach, 600 V 12 W, 29-Pin SIP N-Kanal RS Best.-Nr.: 229-6435 Herst. Teile-Nr.: NFAP0560L3TT Datenblätter: CHF.7.56 Stück (In einer Stange von 120)	onsemi	-	-	-	-	6	12 W	SIP	-	-	N	29	-	Serie	-
DiodesZetex IGBT / 50 A, 100 A (Impuls) ±20V max. , 1200 V 348 W, 3-Pin TO-247 RS Best.-Nr.: 182-7143 Herst. Teile-Nr.: DGTD120T25S1PT Datenblätter: CHF.7.508 Stück	DiodesZetex	50 A, 100 A (Impuls)	-	-	±20V	1	348 W	TO-247	-	THT	-	3	-	Einfach	16.26 x 5.31 x 21.46mm
Semikron Danfoss IGBT-Modul / 422 A 20V max. Dual, 1200 V N-Kanal RS Best.-Nr.: 210-4949 Herst. Teile-Nr.: SKM300GB12T4 Datenblätter: CHF.216.342 Stück	Semikron Danfoss	422 A	-	-	20V	2	-	-	Dual	Tafelmontage	N	-	-	Zweifach-Halbbrücke	-
STMicroelectronics IGBT / 6 A 600V max. 6-fach, 600 V 12,5 W, 26-Pin N2DIP-26L Typ Z RS Best.-Nr.: 218-4825 Herst. Teile-Nr.: STGIPQ4C60T-HZ Datenblätter: CHF.7.14 Stück	STMicroelectronics	6 A	-	-	600V	6	12,5 W	N2DIP-26L Typ Z	-	-	-	26	-	Serie	-
Infineon IGBT / 53 A ±20V max. , 600 V 200 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal RS Best.-Nr.: 133-8564 Herst. Teile-Nr.: IGW30N60TPXKSA1 Datenblätter: CHF.1.607 Stück (In einer Stange von 240)	Infineon	53 A	-	-	±20V	1	200 W	TO-247	-	THT	N	3	30kHz	Einfach	16.13 x 5.21 x 21.1mm
STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max. , 650 V 167 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) RS Best.-Nr.: 204-9868 Herst. Teile-Nr.: STGB30H65DFB2 Datenblätter: CHF.2.258 Stück (In einer VPE à 5)	STMicroelectronics	50 A	-	-	±20V	1	167 W	D2PAK (TO-263)	-	-	-	3	-	-	-
Infineon IGBT-Modul / 15 A 20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW EASY1B N-Kanal RS Best.-Nr.: 218-4347 Herst. Teile-Nr.: FP15R12W1T4PBPSA1 Datenblätter: CHF.40.026 Stück (In einem Tray von 30)	Infineon	15 A	-	-	20V	7	20 mW	EASY1B	-	-	N	-	-	-	-
onsemi IGBT / 80 A ±25V max., 1200 V 555 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal RS Best.-Nr.: 864-8855 Herst. Teile-Nr.: FGH40T120SMD Datenblätter: CHF.8.61 Stück	onsemi	80 A	-	-	±25V	-	555 W	TO-247	-	THT	N	3	-	Einfach	15.87 x 4.82 x 20.82mm
Infineon IGBT / 75 A ±20V max., 1200 V 270 W, 3-Pin TO-247 RS Best.-Nr.: 754-5392 Herst. Teile-Nr.: IGW40T120FKSA1 Datenblätter: CHF.6.237 Stück	Infineon	75 A	-	-	±20V	-	270 W	TO-247	-	THT	-	3	-	Einfach	16.13 x 21.1 x 5.21mm
STMicroelectronics IGBT / 80 A 20V max., 1,65 V 535 W, 3-Pin TO-247 RS Best.-Nr.: 261-5071 Herst. Teile-Nr.: STGWA80H65DFBAG Datenblätter: CHF.4.704 Stück (In einer Stange von 30)	STMicroelectronics	80 A	-	-	20V	-	535 W	TO-247	-	THT	-	3	-	-	-