Winbond W29N Flash-Speicher 4Gbit, 512 M x 8 Bit, Parallel, 25μs, VFBGA, 63-Pin, 2,7 V bis 3,6 V
- RS Best.-Nr.:
- 188-2561
- Herst. Teile-Nr.:
- W29N04GVBIAF
- Marke:
- Winbond
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- 188-2561
- Herst. Teile-Nr.:
- W29N04GVBIAF
- Marke:
- Winbond
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Winbond | |
| Speicher Größe | 4Gbit | |
| Interface-Typ | Parallel | |
| Gehäusegröße | VFBGA | |
| Pinanzahl | 63 | |
| Organisation | 512 M x 8 Bit | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Zellen-Typ | SLC NAND | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Länge | 11.1mm | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Breite | 9.1mm | |
| Abmessungen | 11.1 x 9.1 x 0.6mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Anzahl der Wörter | 512M | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Serie | W29N | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 25µs | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Winbond | ||
Speicher Größe 4Gbit | ||
Interface-Typ Parallel | ||
Gehäusegröße VFBGA | ||
Pinanzahl 63 | ||
Organisation 512 M x 8 Bit | ||
Montage-Typ SMD | ||
Zellen-Typ SLC NAND | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Länge 11.1mm | ||
Höhe 0.6mm | ||
Breite 9.1mm | ||
Abmessungen 11.1 x 9.1 x 0.6mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Anzahl der Wörter 512M | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Serie W29N | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Zugriffszeit max. 25µs | ||
Dichte: 4 Gbit (Einzelchip-Lösung)
VCC: 2,7 V bis 3,6 V
Busbreite: X8
Betriebstemperatur
Industrie: –40 °C bis 85 °C
Single-Level-Cell (SLC)-Technologie.
Organisation
Dichte: 4G-Bit/512M-Byte
Seitengröße
2.112 Byte (2048 + 64 Byte)
Blockgröße
64 Seiten (128K + 4K Byte)
Höchste Leistung
Leseleistung (max.)
Zufälliges Lesen: 25 us
Sequenzieller Lesezyklus: 25 ns
Schreiblösch-Funktion
Seitenprogrammzeit: 250 us (typ.)
Blocklöschzeit: 2 ms (typ.)
Lebensdauer: 100000 Lösch-/Programmzyklen (1)
10 Jahre Datenspeicherung
Befehlssatz
Standard-NAND-Befehlssatz
Zusätzliche Befehlsunterstützung
Sequenzielles Cache-Lesen
Zufälliges Lesen des Cache
Cache-Programm
Kopieren Sie zurück
Zweiebenen-Betrieb
Wenden Sie sich an Winbond für OTP-Funktion
Wenden Sie sich an Winbond für Blockschlossfunktion
Niedrigste Leistungsaufnahme
Lesen: 25 mA (typ.)
Programmieren/Löschen: 25 mA (typ.)
CMOS-Standby: 10 μA (typ.)
Platzsparende Verpackung
48-poliger Standard-TSOP1
63-Kugel-VFBGA
VCC: 2,7 V bis 3,6 V
Busbreite: X8
Betriebstemperatur
Industrie: –40 °C bis 85 °C
Single-Level-Cell (SLC)-Technologie.
Organisation
Dichte: 4G-Bit/512M-Byte
Seitengröße
2.112 Byte (2048 + 64 Byte)
Blockgröße
64 Seiten (128K + 4K Byte)
Höchste Leistung
Leseleistung (max.)
Zufälliges Lesen: 25 us
Sequenzieller Lesezyklus: 25 ns
Schreiblösch-Funktion
Seitenprogrammzeit: 250 us (typ.)
Blocklöschzeit: 2 ms (typ.)
Lebensdauer: 100000 Lösch-/Programmzyklen (1)
10 Jahre Datenspeicherung
Befehlssatz
Standard-NAND-Befehlssatz
Zusätzliche Befehlsunterstützung
Sequenzielles Cache-Lesen
Zufälliges Lesen des Cache
Cache-Programm
Kopieren Sie zurück
Zweiebenen-Betrieb
Wenden Sie sich an Winbond für OTP-Funktion
Wenden Sie sich an Winbond für Blockschlossfunktion
Niedrigste Leistungsaufnahme
Lesen: 25 mA (typ.)
Programmieren/Löschen: 25 mA (typ.)
CMOS-Standby: 10 μA (typ.)
Platzsparende Verpackung
48-poliger Standard-TSOP1
63-Kugel-VFBGA
4 GB SLC NAND-Flash-Speicher mit einheitlicher Seitengröße von 2 KB+64 B.
Busbreite: X8
Zufälliges Lesen: 25us
Seitenprogrammzeit: 250 us (typ.)
Blocklöschzeit: 2 ms (typ.)
Unterstützt OTP-Speicherbereich
Zufälliges Lesen: 25us
Seitenprogrammzeit: 250 us (typ.)
Blocklöschzeit: 2 ms (typ.)
Unterstützt OTP-Speicherbereich
