Winbond SLC-NAND W29N04GV Flash-Speicher 4 GB, 512M x 8 Bit, Parallel, 25 μs, VFBGA, 63-Pin

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Herst. Teile-Nr.:
W29N04GVBIAF
Marke:
Winbond
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Marke

Winbond

Speicher Größe

4GB

Produkt Typ

Flash-Speicher

Schnittstellentyp

Parallel

Gehäusegröße

VFBGA

Pinanzahl

63

Organisation

512M x 8 Bit

Montageart

Oberfläche

Zellen-Typ

SLC-NAND

Minimale Versorgungsspannung

2.7V

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Breite

11.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.6mm

Länge

11.1mm

Serie

W29N04GV

Zugriffszeit max.

25μs

Versorgungsstrom

35mA

Anzahl der Bits pro Wort

8

Anzahl der Wörter

512M

Automobilstandard

Nein

Dichte: 4 Gbit (Einzelchip-Lösung)

VCC: 2,7 V bis 3,6 V

Busbreite: X8

Betriebstemperatur

Industrie: –40 °C bis 85 °C

Single-Level-Cell (SLC)-Technologie.

Organisation

Dichte: 4G-Bit/512M-Byte

Seitengröße

2.112 Byte (2048 + 64 Byte)

Blockgröße

64 Seiten (128K + 4K Byte)

Höchste Leistung

Leseleistung (max.)

Zufälliges Lesen: 25 us

Sequenzieller Lesezyklus: 25 ns

Schreiblösch-Funktion

Seitenprogrammzeit: 250 us (typ.)

Blocklöschzeit: 2 ms (typ.)

Lebensdauer: 100000 Lösch-/Programmzyklen (1)

10 Jahre Datenspeicherung

Befehlssatz

Standard-NAND-Befehlssatz

Zusätzliche Befehlsunterstützung

Sequenzielles Cache-Lesen

Zufälliges Lesen des Cache

Cache-Programm

Kopieren Sie zurück

Zweiebenen-Betrieb

Wenden Sie sich an Winbond für OTP-Funktion

Wenden Sie sich an Winbond für Blockschlossfunktion

Niedrigste Leistungsaufnahme

Lesen: 25 mA (typ.)

Programmieren/Löschen: 25 mA (typ.)

CMOS-Standby: 10 μA (typ.)

Platzsparende Verpackung

48-poliger Standard-TSOP1

63-Kugel-VFBGA

4 GB SLC NAND-Flash-Speicher mit einheitlicher Seitengröße von 2 KB+64 B.

Busbreite: X8

Zufälliges Lesen: 25us

Seitenprogrammzeit: 250 us (typ.)

Blocklöschzeit: 2 ms (typ.)

Unterstützt OTP-Speicherbereich

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