ams OSRAM Fotodiode Sichtbares Licht, Infrarot 60 ° 850 nm, Oberfläche DIP-Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 652-0207
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW 34 S
- Marke:
- ams OSRAM
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- 652-0207
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- BPW 34 S
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- ams OSRAM
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ams OSRAM | |
| Produkt Typ | Fotodiode | |
| Erkannte Spektren | Sichtbares Licht, Infrarot | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 850nm | |
| Gehäusegröße | DIP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Wellenlänge min. | 400nm | |
| erfasste Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Fallzeit typ. | 0.02μs | |
| Verstärkt | Nein | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 100°C | |
| Länge | 4.5mm | |
| Breite | 4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 60 ° | |
| Dunkelstrom | 2nA | |
| Polarität | Invertiert | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchschlagspannung | 16V | |
| Leerlaufspannung | 330mV | |
| Regelanstiegszeit | 0.02μs | |
| Kurzschlussstrom | 80μA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ams OSRAM | ||
Produkt Typ Fotodiode | ||
Erkannte Spektren Sichtbares Licht, Infrarot | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 850nm | ||
Gehäusegröße DIP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Wellenlänge min. 400nm | ||
erfasste Wellenlänge max. 1100nm | ||
Fallzeit typ. 0.02μs | ||
Verstärkt Nein | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 100°C | ||
Länge 4.5mm | ||
Breite 4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.2mm | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 60 ° | ||
Dunkelstrom 2nA | ||
Polarität Invertiert | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchschlagspannung 16V | ||
Leerlaufspannung 330mV | ||
Regelanstiegszeit 0.02μs | ||
Kurzschlussstrom 80μA | ||
PIN-Fotodiode, DIL-Gehäuse
Diese IR-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gehören zur Serie BPW 34. Sie werden in SMD-Gehäusen oder durchkontaktierten DIL-Kunststoffgehäusen mit einer strahlungsempfindlichen Fläche von 2,65 x 2,65 mm geliefert. Die IR-Fotodioden der Serie BPW 34 wurden für Anwendungen mit einem Wellenlängenbereich von bis zu 1100 nm entwickelt. Weitere geeignete Anwendungen umfassen: Fotounterbrecher, IR-Fernbedienungen und Kfz-Sensoren, Headsets usw.
IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors
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