Teile-Nr.

Infineon IGBT / 53 A ±20 V, ±30 V max., 600 V 141 W, 3-Pin PG-TO247-3-AI

RS Best.-Nr.:: 215-6661
Herst. Teile-Nr.:: IKFW60N60DH3EXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 53 A ±20 V, ±30 V max., 600 V 141 W, 3-Pin PG-TO247-3-AI

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.10.794

Auf Lager

40 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 8	CHF.5.397	CHF.10.78
10 - 18	CHF.4.851	CHF.9.70
20 - 48	CHF.4.589	CHF.9.18
50 - 98	CHF.4.263	CHF.8.52
100 +	CHF.3.938	CHF.7.88

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 215-6661
Herst. Teile-Nr.:: IKFW60N60DH3EXKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	53 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	600 V
	Gate-Source Spannung max.	±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max.	141 W
	Gehäusegröße	PG-TO247-3-AI
	Pinanzahl	3
	Transistor-Konfiguration	Isoliert

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 53 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 600 V
	Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max. 141 W
	Gehäusegröße PG-TO247-3-AI
	Pinanzahl 3
	Transistor-Konfiguration Isoliert

Datasheet-IKFW60N60DH3EXKSA1

Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gatter, kopiert mit Rapid-1-schneller und weicher antiparalleler Diode in vollständig isoliertem Gehäuse.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

Infineon IGBT / 53 A ±20 V, ±30 V max., 600 V 141 W, 3-Pin PG-TO247-3-AI

Verwandte Links