Infineon IGBT / 160 A ±20V max., 600 V 714 W, 3-Pin PG-TO247-3-46
- RS Best.-Nr.:
- 215-6664
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ100N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.256.11
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.8.537 | CHF.256.19 |
| 60 - 120 | CHF.8.117 | CHF.243.37 |
| 150 + | CHF.7.602 | CHF.228.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-6664
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ100N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 160 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 714 W | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-3-46 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 160 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 714 W | ||
Gehäusegröße PG-TO247-3-46 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gate und positivem Temperaturkoeffizient in der Sättigungsspannung verfügt über eine antiparallele Emittergesteuerte Diode mit schneller Erholung.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
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