Infineon IGBT / 160 A, 600 V 714 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 215-6665
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ100N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 215-6665
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ100N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 160A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 714W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Breite | 15.9 mm | |
| Länge | 41.2mm | |
| Serie | TrenchStop | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 160A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 714W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.1mm | ||
Breite 15.9 mm | ||
Länge 41.2mm | ||
Serie TrenchStop | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gate und positivem Temperaturkoeffizient in der Sättigungsspannung verfügt über eine antiparallele Emittergesteuerte Diode mit schneller Erholung.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
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