onsemi IGBT-Modul, 1000 V 79 W Q2BOOST-PIM53 Oberfläche

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle IGBT anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
245-6970
Herst. Teile-Nr.:
NXH300B100H4Q2F2SG
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1000V

Anzahl an Transistoren

6

Maximale Verlustleistung Pd

79W

Gehäusegröße

Q2BOOST-PIM53

Montageart

Oberfläche

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

93.1mm

Höhe

17.6mm

Breite

47.3 mm

Serie

NXH300B100H4Q2F2SG

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Das on Semiconductor Q2BOOST-Modul ist ein integriertes Leistungsmodul mit hoher Dichte, das leistungsstarke IGBTs mit einer 1200-V-SiC-Diode kombiniert.

Extrem effizienter Graben mit Feld-Stop-Technologie

Geringe Schaltverluste reduzieren die Verlustleistung des Systems

Das Moduldesign bietet eine hohe Leistungsdichte

Niedrige induktive Anordnung

3 Kanäle im Q2BOOST-Gehäuse

Dies sind bleifreie Geräte

Verwandte Links