onsemi IGBT-Modul Dual 69 W Q0BOOST - Gehäuse 180AJ (bleifreie und halogenfreie Lötstifte)

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245-6991
Herst. Teile-Nr.:
NXH80B120MNQ0SNG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Verlustleistung max.

69 W

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

Q0BOOST - Gehäuse 180AJ (bleifreie und halogenfreie Lötstifte)

Voll-SiC-MOSFET-Modul | EliteSiC Zweikanal-Voll-SiC-Boost, 1200 V, 80 mohm SiC-MOSFET + 1200 V, 20 A SiC-Diode, vernickeltes DBC


Das on Semiconductor Dual Boost Power Module ist ein Leistungsmodul mit einer zweifachen Boost-Stufe. Die integrierten SiC-MOSFETs und SiC-Dioden bieten geringere Leitungsverluste und Schaltverluste, sodass Entwickler einen hohen Wirkungsgrad und eine überlegene Zuverlässigkeit erreichen können.

1200 V 80 m SiC MOSFETs
SiC-Dioden mit niedriger Rückwärtsrückgewinnung und schneller Schaltung
1600-V-Bypass- und antiparallele Dioden
Lötbare Stifte Thermistor mit niedrigem induktivem Layout
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform

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