Infineon Hybride diskrete Diode / 75 A, 650 V 395 W, 4-Pin PG-TO247-4-3 Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 273-2994
- Herst. Teile-Nr.:
- IKZA75N65SS5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-2994
- Herst. Teile-Nr.:
- IKZA75N65SS5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Hybride diskrete Diode | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 75A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 395W | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-4-3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 15.7mm | |
| Höhe | 4.9mm | |
| Länge | 20.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Hybride diskrete Diode | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 75A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 395W | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Gehäusegröße PG-TO247-4-3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 15.7mm | ||
Höhe 4.9mm | ||
Länge 20.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IGBT-Discrete von Infineon mit Siliziumkarbid-Schottky-Diode hat aufgrund der Kombination aus TRENCHSTOP 5 und CoolSiC-Diodentechnologie sowie dem Kelvin-Emittergehäuse extrem niedrige Schaltverluste.
Höchste Effizienz
Reduzierter Kühlaufwand
Erhöhte Leistungsdichte
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