onsemi NVHL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 34 A 160 W, 3-Pin TO-247-3L
- RS Best.-Nr.:
- 218-669
- Herst. Teile-Nr.:
- NVHL070N120M3S
- Marke:
- onsemi
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- 218-669
- Herst. Teile-Nr.:
- NVHL070N120M3S
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 34A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | NVHL | |
| Gehäusegröße | TO-247-3L | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 160W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 57nC | |
| Durchlassspannung Vf | 4.7V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 34A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie NVHL | ||
Gehäusegröße TO-247-3L | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 160W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 57nC | ||
Durchlassspannung Vf 4.7V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die MOSFETs von ON Semiconductor sind für schnelle Schaltanwendungen optimiert. Die Planar-Technologie arbeitet zuverlässig mit negativer Gate-Spannung und schaltet Spikes am Gate aus. Diese Familie bietet optimale Leistung, wenn sie mit 18 V Gate Drive betrieben wird, funktioniert aber auch gut mit 15 V Gate Drive.
Halogenfrei
RoHS-Konformität
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