onsemi NTMFS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 164 A 104 W, 8-Pin SO-8FL
- RS Best.-Nr.:
- 220-586
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS005P03P8ZT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*
CHF.10.00
Auf Lager
- Zusätzlich 1'500 Einheit(en) mit Versand ab 26. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 2.00 | CHF 9.99 |
| 50 - 95 | CHF 1.899 | CHF 9.51 |
| 100 - 495 | CHF 1.757 | CHF 8.79 |
| 500 - 995 | CHF 1.616 | CHF 8.08 |
| 1000 + | CHF 1.555 | CHF 7.78 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-586
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS005P03P8ZT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 164A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | NTMFS | |
| Gehäusegröße | SO-8FL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 183nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 164A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie NTMFS | ||
Gehäusegröße SO-8FL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 183nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der ON Semiconductor MOSFET mit fortschrittlicher Gehäusetechnologie in 5x6mm für Platzersparnis und hervorragende Wärmeleitung.
RoHS-konform
Pb-frei und halogenfrei/BFR-frei
Verwandte Links
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 201 A 164 W, 8-Pin SO-8FL
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 273 A 121 W, 8-Pin SO-8FL
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 323 A 134 W, 8-Pin SO-8FL
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 78 A 33 W, 8-Pin SO-8FL
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 276 A 167 W, 8-Pin SO-8FL
- onsemi NVMFWS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 201 A 164 W, 8-Pin SO-8FL
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 233 A 104 W, 5-Pin DFN-5
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 22 A 104 W, 8-Pin WDFN