onsemi NVMFWS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 201 A 164 W, 8-Pin SO-8FL
- RS Best.-Nr.:
- 220-571
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFWS1D9N08XT1G
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.3.717 | CHF.7.45 |
| 20 - 198 | CHF.3.36 | CHF.6.72 |
| 200 - 998 | CHF.3.098 | CHF.6.20 |
| 1000 - 1998 | CHF.2.877 | CHF.5.74 |
| 2000 + | CHF.2.331 | CHF.4.67 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-571
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFWS1D9N08XT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 201A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | NVMFWS | |
| Gehäusegröße | SO-8FL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 164W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 4.9mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC and PPAP Capable | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 5.9 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 201A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie NVMFWS | ||
Gehäusegröße SO-8FL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 164W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 4.9mm | ||
Normen/Zulassungen AEC and PPAP Capable | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 5.9 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der ON Semiconductor MOSFET hat einen niedrigen QRR. Dieses Gerät ist Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei.
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
RoHS-konform
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