onsemi NTMFS4C10N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 46 A 23.6 W, 8-Pin SO-8FL
- RS Best.-Nr.:
- 867-3268
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS4C10NT1G
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 867-3268
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS4C10NT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 46A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | NTMFS4C10N | |
| Gehäusegröße | SO-8FL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 23.6W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Breite | 5.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie NTMFS4C10N | ||
Gehäusegröße SO-8FL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 23.6W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.05mm | ||
Länge 6.1mm | ||
Breite 5.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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