onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 78 A 33 W, 8-Pin SO-8FL
- RS Best.-Nr.:
- 867-3252
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS4C05NT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.11.55
Auf Lager
- Zusätzlich 1’500 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | CHF.0.462 | CHF.11.60 |
| 100 - 225 | CHF.0.399 | CHF.10.03 |
| 250 + | CHF.0.347 | CHF.8.69 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 867-3252
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS4C05NT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 78A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | NTMFS | |
| Gehäusegröße | SO-8FL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.1 mm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 78A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie NTMFS | ||
Gehäusegröße SO-8FL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.05mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.1 mm | ||
Länge 6.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Verwandte Links
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 78 A 33 W, 8-Pin SO-8FL
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 276 A 167 W, 8-Pin SO-8FL
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 276 A 167 W, 8-Pin NTMFS5C604NLT1G SO-8FL
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 201 A 164 W, 8-Pin NTMFS2D1N08XT1G SO-8FL
- onsemi NTMFS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 164 A 104 W, 8-Pin NTMFS005P03P8ZT1G SO-8FL
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 273 A 121 W, 8-Pin NTMFS0D9N04XMT1G SO-8FL
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 323 A 134 W, 8-Pin NTMFS0D7N04XMT1G SO-8FL
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 78 A 50 W, 5-Pin DFN