onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 201 A 164 W, 8-Pin SO-8FL
- RS Best.-Nr.:
- 220-600
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS2D1N08XT1G
- Marke:
- onsemi
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| 5 - 45 | CHF.3.04 | CHF.15.21 |
| 50 - 95 | CHF.2.889 | CHF.14.46 |
| 100 - 495 | CHF.2.677 | CHF.13.38 |
| 500 - 995 | CHF.2.464 | CHF.12.31 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-600
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS2D1N08XT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 201A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | SO-8FL | |
| Serie | NTMFS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 164W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.15mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 201A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße SO-8FL | ||
Serie NTMFS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 164W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.15mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der MOSFET von ON Semiconductor ist ein klassenbestes Produkt auf dem 80-V-Markt. Dieses Produkt ist die beste Lösung für Cloud Power, 5G Telecom, andere PSU-Anwendungen, DC/DC und industrielle Anwendungen. Dies führt zu einer besseren Leistung mit verbesserter Systemeffizienz und hoher Leistungsdichte bei gleichzeitig geringeren Leistungsmerkmalen.
Halogenfrei
RoHS-konform
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