Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 381 A 188 W, 8-Pin PG-WSON-8

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RS Best.-Nr.:
284-635
Herst. Teile-Nr.:
BSC007N04LS6SCATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

381A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-WSON-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET von Infineon ist ein Leistungstransistor für Hochleistungsanwendungen, die robuste Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Mit seiner doppelseitigen gekühlten Verpackung verfügt er über die niedrigste Verbindung bis TOP-Wärmebeständigkeit, was eine überlegene Wärmeableitung ermöglicht. Das N-Kanal-Design sorgt für eine optimale Leistung in synchronen Anwendungen und ist damit die ideale Wahl für moderne Stromverwaltungssysteme. Ausgestattet mit einer bleifreien Kabelbeschichtung und RoHS-konform. Darüber hinaus sorgt seine hohe Lawinenbelastbarkeit für Stabilität unter anspruchsvollen Bedingungen, während die Nennbetriebstemperatur von bis zu 175 °C die Benutzerfreundlichkeit in verschiedenen Umgebungen erhöht.

Nahtlose Integration für synchrone Anwendungen

Erfüllt JEDEC-Standards für den industriellen Einsatz

Erweitertes thermisches Management verbessert die Haltbarkeit

Außergewöhnlicher Widerstand für Effizienz

Handhabt zuverlässig hohe Lawinenenergie

Unterstützt halogenfreies und umweltbewusstes Design

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