Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 56 A 115 W, 8-Pin BSC160N15NS5SCATMA1 PG-WSON-8

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RS Best.-Nr.:
284-651
Herst. Teile-Nr.:
BSC160N15NS5SCATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

56A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-WSON-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

16mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

115W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS-Leistungs-MOSFET von Infineon wurde entwickelt, um außergewöhnliche Leistung in Hochfrequenz-Schaltanwendungen zu liefern. Mit einer robusten 150-V-Nennleistung dient es als zuverlässige Lösung für Industrie- und Kfz-Elektronik. Das zweiseitig gekühlte PG WSON 8-Gehäuse sorgt für minimalen Wärmewiderstand und ermöglicht eine effiziente Wärmeableitung selbst unter hohen Belastungsbedingungen. Dieser MOSFET wurde für den N-Kanal-Betrieb entwickelt und zeichnet sich durch synchrone Gleichrichtung aus, womit er ideal für Stromverwaltungsaufgaben ist, bei denen Effizienz und Zuverlässigkeit von größter Bedeutung sind. Hersteller können sich darauf verlassen, dass diese Komponente strenge Anforderungen erfüllt und eine effektive und stabile Leistung in anspruchsvollen Umgebungen bietet.

Optimiert für den Hochfrequenzbetrieb

Doppelseitige Kühlung senkt den Wärmewiderstand

Bleifreie Kabelbeschichtung für RoHS-Konformität

Ausgezeichnete Gate-Ladeleistung erhöht die Effizienz

Ideal für synchrone Gleichrichteranwendungen

Funktioniert bei hohen Temperaturen ohne Effizienzverlust

Qualifiziert nach JEDEC-Standards für die Industrie

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