Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 144 A 136 W, 8-Pin BSC033N08NS5SCATMA1 PG-WSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 284-642
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC033N08NS5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
- RS Best.-Nr.:
- 284-642
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC033N08NS5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 144A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | PG-WSON-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 144A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße PG-WSON-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der OptiMOS-Leistungs-MOSFET von Infineon wurde präzise für Exzellenz im effizienten Elektronikdesign entwickelt. Dieser fortschrittliche Leistungs-MOSFET bietet eine hervorragende Leistung bei 80 V, ideal für die synchrone Gleichrichtung in anspruchsvollen Anwendungen wie Servern und Desktop-Netzteilen. Mit einem doppelseitig gekühlten Gehäuse verringert es den Wärmewiderstand erheblich und verbessert so die Zuverlässigkeit und das Wärmemanagement. Dieses Produkt zeichnet sich durch sein robustes, lawinengesteuertes Design aus, das eine lange Lebensdauer unter Überspannungsbedingungen gewährleistet. Profitieren Sie von einer überlegenen Wärmeleitfähigkeit und einer bleifreien Konstruktion, die die strengen RoHS-Konformitätsstandards erfüllt, was es nicht nur leistungsfähig, sondern auch umweltfreundlich macht.
Doppelseitig gekühltes Gehäuse für thermisches Management
Entwickelt für einen hohen Wirkungsgrad bei der synchronen Gleichrichtung
100 % Lawinen-Validierung für Zuverlässigkeit
Überlegener Wärmewiderstand erhöht die Haltbarkeit
Ausgelegt für die Leistung bis zu 175 °C
Pb-freie Beschichtung zur Einhaltung der Umweltvorschriften
Halogenfreie Normen gemäß IEC61249 2 21
Qualifiziert nach JEDEC-Standards für die Industrie
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 144 A, 8-Pin PG-WSON-8
- Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 171 A, 8-Pin PG-WSON-8
- Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 77 A, 8-Pin PG-WSON-8
- Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 381 A, 8-Pin PG-WSON-8
- Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 89 A, 8-Pin PG-WSON-8
- Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 301 A, 8-Pin PG-WSON-8
- Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 56 A, 8-Pin PG-WSON-8
- Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 99 A, 8-Pin PG-Tson-8
