Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 171 A 188 W, 8-Pin BSC030N10NS5SCATMA1 PG-WSON-8

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RS Best.-Nr.:
284-639
Herst. Teile-Nr.:
BSC030N10NS5SCATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

171A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PG-WSON-8

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS-Leistungs-MOSFET von Infineon wurde für außergewöhnliche Leistung in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt. Als Teil der OptiMOS 5-Serie kombiniert es Erdungsunterbrechungstechnologie mit robusten Funktionen, um die Anforderungen industrieller Anwendungen zu erfüllen. Mit einer erheblichen Ablassquellen-Ausfallspannung von 100 V und einer erheblichen Lawinen-Fähigkeit garantiert diese Komponente einen robusten Betrieb in Hochbelastungssituationen. Das innovative Design des Produkts vereinfacht die Wärmeableitung und bewahrt die Leistung selbst unter starken Lasten, was sich in einer erhöhten Lebensdauer und Zuverlässigkeit in Ihren Stromkreisen niederschlägt.

Doppelseitige Kühlung optimiert die Wärmeverteilung

175 °C Nennwert für anspruchsvolle Umgebungen

N-Kanalkonfiguration erhöht die Flexibilität

Überlegener Wärmewiderstand maximiert den Wirkungsgrad

100% lawinengeprüft und zuverlässig

Bleifreie Beschichtung gemäß RoHS

Halogenfreie Konstruktion für Umweltfreundlichkeit

Qualifiziert nach JEDEC-Standards für die Industrie

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