Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 77 A 150 W, 8-Pin BSC110N15NS5SCATMA1 PG-WSON-8

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RS Best.-Nr.:
284-647
Herst. Teile-Nr.:
BSC110N15NS5SCATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

77A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

PG-WSON-8

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS-Leistungs-MOSFET von Infineon steht als Höhepunkt der Leistung im Bereich der MOSFET-Technologie. Er wurde für anspruchsvolle industrielle Anwendungen entwickelt und bietet hervorragende Effizienz und Zuverlässigkeit, womit er eine ideale Wahl für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung ist. Mit innovativer zweiseitiger Kühlung und einer Betriebstemperatur von bis zu 175 °C sorgt dieses Gerät für einen robusten Betrieb auch bei erheblicher thermischer Belastung. Die Infusion von fortschrittlichen Materialien erhöht die thermische Stabilität und Zuverlässigkeit weiter und stellt sicher, dass sie die strengsten Industriestandards erfüllt. Mit seiner umfassenden Validierung gemäß JEDEC-Standards ist dieser MOSFET für Ingenieure zugeschnitten, die Exzellenz in der Leistungselektronik suchen.

Außergewöhnliche Wärmebeständigkeit für Zuverlässigkeit

N-Kanal-Design für vielseitiges Schalten

Gestrafftes Gehäuse für platzsparende Nutzung

Qualifiziert für die Leistung in industriellen Anwendungen

Optimiert für Hochfrequenz-Technologie-Designs

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