Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 89 A 167 W, 8-Pin BSC093N15NS5SCATMA1 PG-WSON-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-645
Herst. Teile-Nr.:
BSC093N15NS5SCATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

89A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-WSON-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS-Leistungs-MOSFET von Infineon ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET, der für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde, die einen optimalen Wirkungsgrad erfordern. Mit einer Betriebsspannung von bis zu 150 V und hervorragender thermischer Leistung. Er wurde mit zweiseitiger Kühlungstechnologie entwickelt und bietet eine außergewöhnliche Wärmebeständigkeit, wodurch auch unter anspruchsvollen Bedingungen ein zuverlässiger Betrieb gewährleistet wird. Die Integration innovativer Designelemente verringert den Widerstand und erhöht die Gesamteffizienz von Strommanagementsystemen. Ideal für industrielle Anwendungen, seine robuste Konstruktion garantiert eine lange Lebensdauer und zuverlässige Leistung.

Doppelseitig gekühltes Gehäuse für thermisches Management

Ausgezeichneter Wirkungsgrad für den Hochfrequenzbetrieb

Großer Betriebstemperaturbereich für Zuverlässigkeit

Niedriger Widerstand verbessert die Energieeffizienz

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten für erweiterte Stromversorgungsanwendungen

Qualifiziert nach JEDEC-Standards für die Industrie

Verwandte Links