Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 89 A 167 W, 8-Pin PG-WSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 284-644
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC093N15NS5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
- RS Best.-Nr.:
- 284-644
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC093N15NS5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 89A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | PG-WSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 167W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 89A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße PG-WSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 167W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der OptiMOS-Leistungs-MOSFET von Infineon ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET, der für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde, die einen optimalen Wirkungsgrad erfordern. Mit einer Betriebsspannung von bis zu 150 V und hervorragender thermischer Leistung. Er wurde mit zweiseitiger Kühlungstechnologie entwickelt und bietet eine außergewöhnliche Wärmebeständigkeit, wodurch auch unter anspruchsvollen Bedingungen ein zuverlässiger Betrieb gewährleistet wird. Die Integration innovativer Designelemente verringert den Widerstand und erhöht die Gesamteffizienz von Strommanagementsystemen. Ideal für industrielle Anwendungen, seine robuste Konstruktion garantiert eine lange Lebensdauer und zuverlässige Leistung.
Doppelseitig gekühltes Gehäuse für thermisches Management
Ausgezeichneter Wirkungsgrad für den Hochfrequenzbetrieb
Großer Betriebstemperaturbereich für Zuverlässigkeit
Niedriger Widerstand verbessert die Energieeffizienz
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten für erweiterte Stromversorgungsanwendungen
Qualifiziert nach JEDEC-Standards für die Industrie
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 89 A 167 W, 8-Pin BSC093N15NS5SCATMA1 PG-WSON-8
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 77 A 150 W, 8-Pin BSC110N15NS5SCATMA1 PG-WSON-8
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 56 A 115 W, 8-Pin BSC160N15NS5SCATMA1 PG-WSON-8
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 381 A 188 W, 8-Pin BSC007N04LS6SCATMA1 PG-WSON-8
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 171 A 188 W, 8-Pin BSC023N08NS5SCATMA1 PG-WSON-8
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 171 A 188 W, 8-Pin BSC030N10NS5SCATMA1 PG-WSON-8
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 381 A 188 W, 8-Pin BSC009N04LSSCATMA1 PG-WSON-8
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 144 A 136 W, 8-Pin BSC033N08NS5SCATMA1 PG-WSON-8
