Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 144 A 136 W, 8-Pin BSC033N08NS5SCATMA1 PG-WSON-8

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RS Best.-Nr.:
284-641
Herst. Teile-Nr.:
BSC033N08NS5SCATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

144A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PG-WSON-8

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS-Leistungs-MOSFET von Infineon wurde präzise für Exzellenz im effizienten Elektronikdesign entwickelt. Dieser fortschrittliche Leistungs-MOSFET bietet eine hervorragende Leistung bei 80 V, ideal für die synchrone Gleichrichtung in anspruchsvollen Anwendungen wie Servern und Desktop-Netzteilen. Mit einem doppelseitig gekühlten Gehäuse verringert es den Wärmewiderstand erheblich und verbessert so die Zuverlässigkeit und das Wärmemanagement. Dieses Produkt zeichnet sich durch sein robustes, lawinengesteuertes Design aus, das eine lange Lebensdauer unter Überspannungsbedingungen gewährleistet. Profitieren Sie von einer überlegenen Wärmeleitfähigkeit und einer bleifreien Konstruktion, die die strengen RoHS-Konformitätsstandards erfüllt, was es nicht nur leistungsfähig, sondern auch umweltfreundlich macht.

Doppelseitig gekühltes Gehäuse für thermisches Management

Entwickelt für einen hohen Wirkungsgrad bei der synchronen Gleichrichtung

100 % Lawinen-Validierung für Zuverlässigkeit

Überlegener Wärmewiderstand erhöht die Haltbarkeit

Ausgelegt für die Leistung bis zu 175 °C

Pb-freie Beschichtung zur Einhaltung der Umweltvorschriften

Halogenfreie Normen gemäß IEC61249 2 21

Qualifiziert nach JEDEC-Standards für die Industrie

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