Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 32 A, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 284-732
- Herst. Teile-Nr.:
- IMT65R083M1HXUMA1
- Marke:
- Infineon
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CHF.9.335
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.9.335 |
| 10 - 99 | CHF.8.40 |
| 100 - 499 | CHF.7.749 |
| 500 - 999 | CHF.7.193 |
| 1000 + | CHF.6.437 |
**Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 284-732
- Herst. Teile-Nr.:
- IMT65R083M1HXUMA1
- Marke:
- Infineon
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 32 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Serie | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | SiC | |
Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 32 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Serie CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff SiC | ||
