Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 2000 V / 89 A 576 W, 4-Pin

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RS Best.-Nr.:
284-862
Herst. Teile-Nr.:
IMYH200R024M1HXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

89A

Drain-Source-Spannung Vds max.

2000V

Gehäusegröße

PG-TO-247-4-PLUS-NT14

Serie

CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

576W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

137nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET ist eine innovative Lösung für Hochleistungsanwendungen. Er wurde mit der Advanced .XT-Verbindungstechnologie entwickelt und sorgt für optimales thermisches Management und Effizienz, womit er sich ideal für anspruchsvolle Umgebungen eignet. Mit einer robusten Body-Diode zeichnet sich der MOSFET auch unter harten Kommutierungsbedingungen aus und sorgt für einen zuverlässigen Betrieb in verschiedenen Anwendungen wie String-Wechselrichtern und EV-Ladesystemen. Seine beeindruckenden Spezifikationen, einschließlich eines kontinuierlichen Drainstroms von bis zu 89 A, unterstreichen seine Fähigkeit, große Leistungslasten zu bewältigen, während seine geringen Schaltverluste zur Effizienz des Gesamtsystems beitragen. Dieses Gerät wurde strengstens für industrielle Anwendungen validiert, um die Einhaltung von Industriestandards und Zuverlässigkeit zu gewährleisten.

Arbeitet mit Hochspannung von 2000 V

Sehr niedriger Durchgangswiderstand für Effizienz

Benchmark-Gate-Schwellenspannung für Leistung

Robuster Betrieb mit durchdachter Body-Diode

Validiert für den industriellen Einsatz durch JEDEC-Tests

Unterstützt optimale thermische Leistung durch Design

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