Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 2000 V / 89 A 576 W, 4-Pin

Der Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET ist eine innovative Lösung für Hochleistungsanwendungen. Er wurde mit der Advanced .XT-Verbindungstechnologie entwickelt und sorgt für optimales thermisches Management und Effizienz, womit er sich ideal für anspruchsvolle Umgebungen eignet. Mit einer robusten Body-Diode zeichnet sich der MOSFET auch unter harten Kommutierungsbedingungen aus und sorgt für einen zuverlässigen Betrieb in verschiedenen Anwendungen wie String-Wechselrichtern und EV-Ladesystemen. Seine beeindruckenden Spezifikationen, einschließlich eines kontinuierlichen Drainstroms von bis zu 89 A, unterstreichen seine Fähigkeit, große Leistungslasten zu bewältigen, während seine geringen Schaltverluste zur Effizienz des Gesamtsystems beitragen. Dieses Gerät wurde strengstens für industrielle Anwendungen validiert, um die Einhaltung von Industriestandards und Zuverlässigkeit zu gewährleisten.

Arbeitet mit Hochspannung von 2000 V