Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 2 kV / 89 A 576 W, 4-Pin

Dieser MOSFET ist ein Leistungstransistor aus Siliziumkarbid, der für Hochspannungsschaltungen in anspruchsvollen elektrischen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät und wird in einem PG-TO-247-4-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das eine robuste Montage und Wärmeableitung in industriellen Baugruppen ermöglicht. Die Komponente ist für Anwendungen vorgesehen, die hohe Blockierungsspannungen und eine dauerhafte Strombelastbarkeit über einen breiten Temperaturbereich erfordern.

• Drain-Quellen-Festigkeit von 2000 V für Hochspannungssysteme
• 89 A kontinuierlicher Ablassstrom für den Betrieb unter hoher Last
• 35 mΩ Rds(on), um Leitungsverluste zu minimieren
• Maximale Verlustleistung von 576 W für thermische Belastbarkeit
• 137 nC typische Gate-Ladung bei Vgs zur Information der Antriebsgröße
• Arbeitet von -55 °C bis 175 °C für erweiterte Temperaturbereiche

• Geeignet für Hochspannungsstufen von Traktionsumrichtern
• Ideal für Stromumwandlungsgeräte im Versorgungsbereich
• Wird mit Hochspannungs-DC/DC-Wandlermodulen verwendet
• Kann für industrielle Motorantriebe und Steuerungen verwendet werden
• Geeignet für Halbleiterschalterkonstruktionen

Er wird in einem PG-TO-247-4-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das einen kompatiblen Kühlkörper und eine sichere Befestigung erfordert, um eine bestimmte Verlustleistung zu erreichen.

Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 20 V, sodass Gate-Treiber die Vgs auf diesen Wert begrenzen müssen, um Schäden zu vermeiden.

Der Transistor kann bei entsprechender Kühlung bis zu 576 W ableiten

Es ist nicht spezifiziert, dass es den Automobilstandards entspricht, und sollte nicht ausgewählt werden, wenn eine Automobilqualifizierung erforderlich ist.