Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 2000 V / 60 A, 4-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 284-859
- Herst. Teile-Nr.:
- IMYH200R012M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 284-859
- Herst. Teile-Nr.:
- IMYH200R012M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 2000V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Serie | CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 2000V | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Serie CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET zeichnet sich als Hochleistungsbauteil für anspruchsvolle Anwendungen aus. Mit fortschrittlicher Siliziumkarbidtechnologie bietet er außergewöhnliche Effizienz und thermische Leistung, womit er sich ideal für den Einsatz in modernen Stromversorgungssystemen eignet. Mit seiner robusten Struktur und seinen innovativen Merkmalen gewährleistet dieses Gerät Zuverlässigkeit bei verschiedenen Anwendungen wie String-Wechselrichtern, Solarstromoptimierung und dem Laden von Elektrofahrzeugen. Der sorgfältig entwickelte MOSFET ist optimal für Hochspannungsumgebungen geeignet und bietet überlegene Betriebsvorteile für den industriellen und kommerziellen Einsatz. Seine fortschrittliche Vernetzungstechnologie trägt zusätzlich zu seinem prestigeträchtigen Ruf auf dem Markt bei und ermöglicht eine verlängerte Gerätelebensdauer und verbesserte Leistungsmanagementfunktionen.
Geringe Schaltverluste für mehr Effizienz
Robuste Body-Diode für harte Kommutierung
Benchmark-Gate-Schwellenspannung für die Steuerung
Sehr niedriger Widerstand im Zustand der Leitfähigkeit
Hoher Wärmewiderstand minimiert Überhitzung
Geeignet für Hochspannung bis zu 2000 V
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