Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 2000 V / 26 A 217 W, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14
- RS Best.-Nr.:
- 349-114
- Herst. Teile-Nr.:
- IMYH200R100M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 26A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 2000V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 142mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 217W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 2000V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 142mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 217W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
MOSFET der CoolSiC-Serie von Infineon, 2000 V Drain-Source-Spannung, 26 A kontinuierlicher Drain-Strom – IMYH200R100M1HXKSA1
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät aus Siliziumkarbid, das für Hochspannungsschaltungen in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es bietet eine robuste Lösung für die Umwandlung oder Steuerung großer Spannungen und Ströme in Durchsteckinstallationen und arbeitet über einen erweiterten Umgebungstemperaturbereich für den Einsatz in rauen Umgebungen.
Merkmale und Vorteile:
• Die Drain-to-Source-Festigkeit von 2000 V vereinfacht Hochspannungsdesigns
• 26 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine dauerhafte Stromversorgung
• Maximale Verlustleistung von 217 W hilft bei der thermischen Margenplanung
• 142 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die typische Gate-Ladung von 55 nC ermöglicht eine verwaltete Antriebsenergie
• Das durchkontaktierte PG-TO-247-4-PLUS-NT14-Gehäuse erleichtert die Montage und Kühlung
• 26 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine dauerhafte Stromversorgung
• Maximale Verlustleistung von 217 W hilft bei der thermischen Margenplanung
• 142 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die typische Gate-Ladung von 55 nC ermöglicht eine verwaltete Antriebsenergie
• Das durchkontaktierte PG-TO-247-4-PLUS-NT14-Gehäuse erleichtert die Montage und Kühlung
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter
• Ideal für industrielle Motorantriebsstufen
• Einsatz mit Energiespeicher- und Netzanschluss-Schnittstellenschaltkreisen
• Kann für Hochspannungs-Prüf- und Messgeräte verwendet werden
• Geeignet für Traktions- und Hochleistungselektronikmodule
• Ideal für industrielle Motorantriebsstufen
• Einsatz mit Energiespeicher- und Netzanschluss-Schnittstellenschaltkreisen
• Kann für Hochspannungs-Prüf- und Messgeräte verwendet werden
• Geeignet für Traktions- und Hochleistungselektronikmodule
Welche Spannungs- und Polaritätsbewertung sollten Entwickler für Schaltvorgänge erwarten?
Das Gerät ist für 2000 V zwischen Drain und Quelle ausgelegt und als N-Kanal-Transistor konfiguriert, sodass bei der Auslegung ein hohes Spannungsabstand und eine geeignete Gate-Drive-Referenzierung berücksichtigt werden müssen.
Wie wirkt sich die Energie des Gate-Antriebs auf die Auswahl des Gate-Treibers aus?
Bei einer typischen Gate-Ladung von 55 nC sollten Gate-Treiber so ausgewählt werden, dass sie genügend Spitzenstrom liefern, um die erforderliche Schaltgeschwindigkeit zu erreichen, während sie gleichzeitig dv/dt steuern, um die elektromagnetische Belastung zu begrenzen.
Welche thermischen Überlegungen sind für einen zuverlässigen Betrieb erforderlich?
Die Komponente leitet unter bestimmten Bedingungen bis zu 217 W ab, sodass das Wärmemanagement einschließlich Kühlkörper und Leiterplatten-Wärmeleitfähigkeit so konstruiert werden muss, dass die Sperrschichttemperaturen innerhalb der Grenzen bleiben.
Welche Montageart unterstützt das Gehäuse und welche Auswirkungen hat das?
Das Durchsteckformat PG-TO-247-4-PLUS-NT14 ermöglicht mechanische Stabilität und eine direkte Kühlkörperbefestigung, was die Montage für Hochleistungsanwendungen vereinfacht.
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