Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 2000 V / 34 A 267 W, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14

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RS Best.-Nr.:
349-113
Herst. Teile-Nr.:
IMYH200R075M1HXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

34A

Drain-Source-Spannung Vds max.

2000V

Serie

CoolSiC

Gehäusegröße

PG-TO-247-4-PLUS-NT14

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

106mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

267W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

64nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

MOSFET der CoolSiC-Serie von Infineon, 34 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2000 V maximale Drain-Source-Spannung – IMYH200R075M1HXKSA1


Dieser MOSFET ist ein Leistungstransistor aus Siliziumkarbid, der für Hochspannungsschaltungen in anspruchsvollen Industrie- und Leistungsumgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und ist in einem Mehrleiter-Durchsteckgehäuse untergebracht, das für eine robuste Montage und Wärmemanagement geeignet ist. Das Gerät ist für Anwendungen vorgesehen, die eine erhebliche kontinuierliche Strombelastbarkeit und eine hohe Verlustleistung erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• 2000 V Drain-Fähigkeit ermöglicht sehr hohe Schaltspannung
• 34 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Stromversorgung
• Maximale Verlustleistung von 267 W, was das thermische Design erleichtert
• 106 mΩ Rds(on) reduzieren Leitungsverluste in Hochstrompfaden
• 64 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltenergie
• Durchkontaktiertes PG-TO-247-4-PLUS-NT14 vereinfacht die Integration von Kühlkörpern

Anwendungsbereiche


• Geeignet für Hochspannungswandler und Wechselrichter
• Ideal für industrielle Motorantriebsstufen
• Wird für Schaltnetzteile mit hoher Leistung verwendet
• Kann für Leistungselektronik mit erneuerbarer Energie verwendet werden
• Geeignet für Traktions- und Hochleistungsmodule

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen von Konstrukteuren bei der Ansteuerung eingehalten werden?


Die Gate-Source-Bewertung beträgt ±20 V, sodass Gate-Drive-Schaltkreise Ausbrüche innerhalb dieses Bereichs begrenzen sollten, um Gate-Oxidbelastungen zu vermeiden.

Wie bewältigt das Gerät raue thermische Umgebungen?


Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt, sodass die Ausführungen große Umgebungs- und Sperrschichttemperaturschwankungen tolerieren können.

Welche Pin-Konfiguration und Montageansatz werden verwendet?


Die Komponente wird in einem vieradrigen PG-TO-247-4-PLUS-NT14-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das eine sichere Leiterplattenmontage und eine direkte Befestigung an Kühlkörpern ermöglicht.

Gibt es Material- oder Umweltbeschränkungen für die Verwendung?


Es ist RoHS-konform und erfüllt somit die Anforderungen an bleifreie Materialien für elektronische Baugruppen.

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