Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 2000 V / 34 A 267 W, 4-Pin IMYH200R075M1HXKSA1

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.35.186

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 240 Einheit(en) mit Versand ab 12. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.35.19
10 - 99CHF.31.67
100 +CHF.29.20

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
349-113
Herst. Teile-Nr.:
IMYH200R075M1HXKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

34A

Drain-Source-Spannung Vds max.

2000V

Serie

CoolSiC

Gehäusegröße

PG-TO-247-4-PLUS-NT14

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

106mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

64nC

Maximale Verlustleistung Pd

267W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET ist ein Hochleistungs-Siliziumkarbid-MOSFET mit .XT-Verbindungstechnologie für verbesserte thermische und elektrische Leistung. Mit einer Benchmark-Gate-Schwellenspannung (VGS(th)) von 4,5 V bietet er zuverlässiges und effizientes Schalten und ist damit ideal für Hochspannungsanwendungen geeignet. Dieser MOSFET bietet eine überragende Leistung und gewährleistet auch in anspruchsvollen Umgebungen einen hervorragenden Wirkungsgrad und einen robusten Betrieb.

Sehr geringe Schaltverluste

Robuste Body-Diode für harte Kommutierung

RoHS-Konformität

Halogenfrei

Verwandte Links